DRV3263-Q1
- AEC-Q100 Test Guidance for automotive
applications
- Device ambient temperature: –40°C to +150°C
-
Functional Safety-Compliant
- Developed for functional safety applications
- Documentation to aid ISO 26262 system design will be available upon production release
- Systematic capability up to ASIL D targeted
- Three phase half-bridge gate driver
- Drives six N-channel MOSFETs (NMOS)
- 8 to 85V wide operating voltage range
- Bootstrap architecture for high-side gate driver
- 50mA average gate switching current enables driving 400nC MOSFETs at 20kHz
- Trickle charge pump to support 100% PWM duty cycle and to generate overdrive supply
- Cutoff driver
- Drive N-channel MOSFET cutoff switches in multiple topologies
- Two SPI-controllable channels (DRV3263A) or
- One channel with SPI or HW pin control (DRV3263B)
- Smart Gate Drive architecture
- 15-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000mA (source / sink)
- Independently configurable pre-charge and pre-discharge regions
- Configurable soft shutdown to minimize inductive voltage spikes during overcurrent shutdown
- Low-side Current Sense Amplifier
- Sub-1mV low input offset across temperature
- 8-level adjustable gain
- SPI-based detailed configuration and diagnostics with OTP memory to store default configuration settings
- DRVOFF independent driver disable pin
- High voltage wake up pin (nSLEEP)
- 6x, 3x, 1x, and Independent PWM modes
- Supports 3.3V and 5V logic inputs
- Integrated protection features
- Battery and power supply voltage monitors
- MOSFET VDS and Rsense over current monitors
- MOSFET VGS gate fault monitors
- Analog Built-In Self-Test (ABIST)
- Device thermal warning and shutdown
- Fault condition indicator pin
The DRV3263-Q1 is an integrated smart gate driver for 48V automotive three-phase BLDC applications. The device provides three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV3263-Q1 generates the correct gate drive voltages using an external 12V supply and an integrated bootstrap diode for the high-side MOSFETs. A trickle charge pump allows for the gate drivers to support 100% PWM duty cycle control and provides overdrive gate drive voltage for driving external switches, which can be controlled through dedicated cutoff driver pins.
The DRV3263-Q1 provides low-side current sense amplifiers to support resistor based low-side current sensing. The low offset and low gain error of the amplifiers enable the system to obtain precise motor current measurements.
A wide range of diagnostics and protection features are integrated with the DRV3263-Q1, enabling a robust motor drive system design and reduce external components. The highly configurable device response allows the device to be integrated seamlessly into a variety of system designs.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | DRV3263-Q1 48V Battery 3-Phase Gate Driver Unit with Integrated Cutoff Drivers datasheet | PDF | HTML | 2026. 3. 26 |
설계 및 개발
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DRV8363-Q1EVM — DRV8363-Q1 평가 모듈
DRV8363-Q1EVM은 BLDC 모터용 DRV8363-Q1 게이트 드라이버를 기반으로 하는 30A, 3상 브러시리스 DC 드라이브 단계입니다.
EVM을 사용하면 사다리꼴 전류 및 제어를 사용하여 BLDC 모터를 구동하는 DRV8363-Q1 장치의 빠른 평가를 수행할 수 있습니다.
사용자 피드백을 위해 모든 전원 공급 장치의 상태 LED와 장애 표시등이 포함되어 있습니다. 이 키트에는 C2000 론치패드(LAUNCHXL-F280049C)가 필요하며 DRV8363-Q1을 제어하고 오류를 모니터링하고 보고하는 데 사용됩니다.
(...)
TIDA-020106 — EMB(전기 기계식 제동) 레퍼런스 설계
EMB(전기 기계식 제동)는 자동차의 전기화와 지능화를 목표로 하는 새로운 유형의 제동 기술로, 고급 자율 주행을 위한 전반적인 비용 절감, 더 빠른 응답, 더 정밀한 작동을 제공합니다. 이 레퍼런스 설계는 완전한 기능을 갖춘 EMB 설계를 보여줍니다. 이 가이드에는 하드웨어, 소프트웨어 및 기능 안전 설계가 모두 설명되어 있습니다. EPS(전동 파워 스티어링)는 EMB와 매우 유사한 주요 구성 요소를 가지고 있으므로, 이 레퍼런스 설계는 EPS에도 사용할 수 있습니다.
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RGZ) | 48 | Ultra Librarian |