패시브 및 개별

TI의 ESD(정전 방전), TVS(과도 전압 억제기) 및 제너 다이오드 포트폴리오에는 여러 개의 패키지 및 전압 옵션이 포함되어 있습니다.

장점:

• <0.5pF ESD 다이오드는 최대 30GHz의 속도로 데이터 라인을 보호하여 정상적으로 작동하는 동안 중에 신호 무결성을 보장합니다.
• 평면 클램프 TVS 기술은 보호 시스템에 잔류 전압을 최소화하는 정밀하고, 평평하며, 온도 독립적인 클램핑 전압으로 서지 과도 현상을 분산할 수 있는 안정적인 솔루션을 제공합니다.
• 포트폴리오의 오토모티브 등급 장치는 최대 30kV까지 보호가 필요한 시스템에 대한 엄격한 표준을 충족합니다.

TI의 박막 실리콘 크롬 저항 네트워크는 상호 감압 기술을 사용하여 노화 및 온도 스트레스에 대한 복원력을 통해 높은 요소 간 매칭을 달성합니다.

장점:

• 박막 SiCr은 작은 폼 팩터에서 높은 수준의 상호 감압을 지원하며 두꺼운 필름 솔루션보다 플리커 노이즈를 낮춥니다.
• 온칩 상호 감압을 통해 여러 개의 저항이 웨이퍼에서 동일한 위치를 차지할 수 있어 웨이퍼의 박막 저항 물질의 변동이 모든 저항에 동일하게 영향을 미칩니다.
• 매칭 저항은 0.2ppm/°C 이하의 일반적인 드리프트로 매우 낮은 비율 측정 온도 계수를 달성합니다.

개별 접합부 전계 효과 트랜지스터(JFET)는 통합 증폭기에 비해 소비 전력이 상대적으로 낮아 잡음을 상당히 낮출 수 있어 저전압 및 저전류 잡음을 모두 가진 증폭기가 필요한 인덕티브 유형 센서에 탁월한 선택입니다.

장점:

• 양극 접합 트랜지스터와 비슷하게 높은 수준의 광대역 전압 잡음이 극히 낮지만, 전류 잡음이 매우 낮다는 추가적인 장점이 있습니다.의 추가 이점이 있습니다. 
• 단일 채널 유연성 및 듀얼 채널 매칭 옵션입니다.
• 동일한 다이에서 단독으로 제조된 한 쌍의 JFET는 개별 트랜지스터보다 훨씬 더 잘 맞아 고게인 회로에서 DC 오프셋이 도입되지 않도록 합니다.

선형 실리콘 기반 서미스터는 모든 온도에서 높은 감도를 유지하여 성능 및 안정성을 향상시킵니다. 

장점:

• 선형화 회로 또는 하드웨어 기반 저항 커패시터 필터를 제거합니다.
• 메모리 요구 사항을 줄이면서 음극 온도 계수(NTC) 서미스터보다 더 빠르고 정확한 소프트웨어 변환을 실행합니다.
• 멀티포인트 보정 없이 NTC 서미스터보다 최대 50% 더 높은 정확도를 달성합니다.
• 낮은 열질량으로 인해 고온에서 거의 300% 더 빠른 응답 시간과 더 높은 감도를 제공합니다.
• 포트폴리오에는 TI 기능 안전 지원 장치 및 시간 내 고장 속도/고장 모드 배포 문서가 포함되어 있습니다.
• 낮은 자체 발열로 장기적인 센서 드리프트를 최소화합니다.

벌크 탄성파(BAW) 공명기는 기존 쿼츠 및 초소형 전자 기계 공진기 기술에 비해 많은 개선 사항을 제공합니다. TI의 포트폴리오에는 1MHz~400MHz 사이의 주파수, 업계 표준 패키지, 낮은 전력 소비 및 넓은 공급 전압 범위를 지원하는 오실레이터가 포함되어 있습니다.

장점:

• BAW 기반 크리스탈 오실레이터는 진동 및 충격, MTBF(평균 고장 간격), 온도 안정성, 노화 및 환경 요인을 포함하여 뛰어난 안정성을 제공합니다.
• 100fs 미만의 루트 평균 제곱 지터를 달성합니다.
• 쿼츠 오실레이터를 BAW 오실레이터로 대체하면 설계 또는 인쇄 회로 보드 레이아웃을 변경할 필요가 없습니다.