DRV8762-Q1
- AEC-Q100 Test Guidance for automotive applications
- Device ambient temperature: –40°C to +125°C
- H-bridge gate driver
- Drives four N-channel MOSFETs (NMOS)
- 8 to 85V wide operating voltage range
- Bootstrap architecture for high-side gate driver
- Supports 50mA average gate switching current enables driving 400nC MOSFETs at 20kHz
- Trickle charge pump to support 100% PWM duty cycle and to generate overdrive supply to drive external cut-off or reverse polarity protection circuit
- Smart Gate Drive architecture
- 8-level configurable peak gate drive current up to 224 / 448mA (source / sink)
- Closed-loop automatic deadtime insertion based on gate-source voltage monitoring
- Configurable soft shutdown to minimize inductive voltage spikes during overcurrent shutdown
- Low-side Current Sense Amplifier
- 1mV low input offset across temperature
- 4-level adjustable gain
- Adjustable output bias to support unidirectional or bidirectional sensing
- SPI-based detailed configuration and diagnostics
- DRVOFF pin to disable driver independently
- High voltage wake up pin (nSLEEP)
- Dedicated ASCIN pin to control motor braking (active short circuit)
- 4x and 2x PWM Modes
- Supports 3.3V and 5V Logic Inputs
- Protection features
- Battery and power supply voltage monitors
- MOSFET VDS and Rsense over current monitors
- MOSFET VGS gate fault monitors
- Device thermal warning and shutdown
- Fault condition indicator pin
The DRV8762-Q1 is an integrated smart gate driver for 48V automotive H-bridge applications. The device provides two half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8762-Q1 generates the correct gate drive voltages using an external 12V supply and an integrated bootstrap diode for the high-side MOSFETs. The Smart Gate Drive architecture supports configurable peak gate drive current from 16mA up to 224mA source and 448mA sink. The DRV8762-Q1 can operate with a wide input range from 8V to 85V at the motor connection. A trickle charge pump allows for the gate drivers to support 100% PWM duty cycle control and provides overdrive gate drive voltage of external switches.
The DRV8762-Q1 provides low-side current sense amplifiers to support resistor based low-side current sensing. The low offset of the amplifiers enables the system to obtain precise motor current measurements.
A wide range of diagnostics and protection features are integrated with the DRV8762-Q1 enables a robust motor drive system design and helps eliminate the need of external components. The highly configurable device response allows the device to be integrated seamlessly into a variety of system designs.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | DRV8762-Q1 48V Battery H-Bridge Smart Gate Driver with Accurate Current Sensing and Advanced Monitoring datasheet | PDF | HTML | 2026/05/14 |
| EVM User's guide | DRV8762-Q1 Evaluation Module | PDF | HTML | 2026/04/06 |
설계 및 개발
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DRV8762-Q1EVM — DRV8762-Q1 평가 모듈
DRV8762-Q1은 48V 차량용 H-브리지 BDC(브러시 DC) 애플리케이션을 위한 통합 스마트 게이트 드라이버입니다. 이 장치는 저항 기반 저압측 전류 감지를 지원하기 위해 저압측 전류 감지 증폭기를 제공합니다. 증폭기의 낮은 오프셋을 통해 시스템이 모터 전류를 정밀하게 측정할 수 있습니다.
게이트 드라이버는 외부 N채널 고압측 및 저압측 전원 MOSFET을 지원하며 최대 224mA 소스 및 448mA 싱크 피크 전류를 구동할 수 있습니다. 부트스트랩 커패시터는 고압측 게이트 드라이브의 공급 전압을 생성합니다. 저압측 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RGZ) | 48 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.