ONET8541T
- 9 GHz Bandwidth
- 4 kΩ Differential Small Signal Transimpedance
- -20dBm Sensitivity
- 0.95 µARMS Input Referred Noise
- 2.5 mAPP Input Overload Current
- Received Signal Strength Indication (RSSI)
- 90 mW Typical Power Dissipation
- CML Data Outputs with On-Chip 50Ω Back-Termination
- On Chip Supply Filter Capacitor
- Single 3.3 V Supply
- Die Size: 870 µm × 1036 µm
The ONET8541T is a high-speed, high gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3Gbps. It features low input referred noise, 9GHz bandwidth, 4kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI).
The ONET8541T is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor and is optimized for packaging in a TO can.
The ONET8541T requires a single 3.3V ±10% supply and its power efficient design typically dissipates less than 90mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back side) temperature.
기술 자료
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1개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | 11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier with RSSI . datasheet (Rev. A) | 2011/08/18 |
설계 및 개발
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사용 설명서: PDF
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| DIESALE (Y) | — | |
| WAFERSALE (YS) | — |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.