Home Energiemanagement Leistungsstufen Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
Home
Energiemanagement
Leistungsstufen
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3522R030-Q1

AKTIV

GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin

Jetzt bestellen
Datenblatt

LMG3522R030-Q1

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² (12 mm × 12 mm)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
    • Junction temperature: –40°C to +150°C, TJ
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
    • Junction temperature: –40°C to +150°C, TJ
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance

The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

filter Andere Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

open-in-new Alternativen vergleichen
Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung.
LMG3522R030 AKTIV GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung Catalog version with top-side cooling
Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei abweichender Anschlussbelegung.
LMG3422R030 AKTIV GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung Industrial grade version with bottom-side cooling

Technische Dokumentation

Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 14
Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt LMG3522R030-Q1 650 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. D) PDF | HTML 02.02.2024
Product overview HVDC QFN-Packaged GaN Power Devices PDF | HTML 31.03.2026
Technischer Artikel How isolated bias transformer parasitic capacitance impacts EMI performance PDF | HTML 22.09.2025
Technischer Artikel Managing thermals: 3 ways to break through power-density barriers PDF | HTML 16.10.2022
Technischer Artikel Is GaN reliable, or is that the right question? PDF | HTML 21.04.2022
Technischer Artikel Increasing power density with an integrated GaN solution PDF | HTML 14.03.2022
Weitere Dokumente AEC-Q100 GaN: Future for on-board charging and high-voltage DC/DC 15.12.2021
Weitere Dokumente Optimizing GaN-Based High-Voltage, High-Power Designs PDF | HTML 07.12.2021
Weitere Dokumente Optimizing GaN-based high-voltage, high-power designs PPT 02.12.2021
Whitepaper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 02.06.2021
Anwendungshinweis Thermal Design and Performance of Top-Side Cooled QFN 12x12 Package 05.03.2021
Whitepaper Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 05.01.2021
Technischer Artikel Automotive GaN FETs engineered for high frequency and robustness in HEV/EVs PDF | HTML 30.11.2020
Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 22.09.2020

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG342X-BB-EVM — LMG342x – Evaluierungsmodul

Das LMG342X-BB-EVM ist eine einfach zu handhabende Breakout-Platine zum Konfigurieren einer beliebigen LMG342xR0x0-Halbbrücken-Platine, z. B. LMG3422EVM-043, als Synchron-Abwärtswandler. Dieses Evaluierungsmodul (EVM) ermöglicht durch die Bereitstellung einer Leistungsstufe, Vorspannungsversorgung (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Tochterkarte

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 – GaN FET für die Automobilindustrie mit integrierter Treibertochterkarte, 650 V, 30 

Das LMG3522EVM-042 konfiguriert zwei LMG3522R030 GaN-FETs in einer Halbbrücke mit Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz, Latch-Kurzschlussschutz und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen. Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.

Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Simulationsmodell

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

PMP22650 — Referenzdesign für bidirektionales Bordladegerät auf GaN-Basis, 6,6 kW

Das Referenzdesign PMP22650 ist ein bidirektionales 6,6-kW-Bordladegerät. Das Design benützt einen zweiphasigen Totem-Pole-PFC und einen Vollbrücken-CLLLC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung. Der CLLLC verwendet sowohl Frequenz- als auch Phasenmodulation, um den Ausgang über den erforderlichen (...)
Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

TIDA-010236 — 4-kW-GaN-Totem-Pole-PFC-Referenzdesign für Haushaltsgeräte

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) mit 4 kW Continuous Conduction Mode (CCM) und einer Galliumnitrid (GaN)-Tochterplatine mit Top-Kühlung und einem digitalen Controller TMS320F280025C . Zusammen mit den integrierten Schutzfunktionen von (...)
Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

TIDM-02013 — Referenzdesign für 7,4-kW-On‑Board‑Ladegerät mit CCM-Totem-Pole-PFC und CLLLC-DC/DC unter Verwendung

TIDM-02013 ist ein Referenzdesign für ein bidirektionales Onboard-Ladegerät. Das Design besteht aus einer brückenlosen Leistungsfaktorkorrektur-(PFC-)Leistungsstufe mit Interleaved Continuous Conduction Mode (CCM) und Totem-Pole (TTPL), gefolgt von einer CLLLC DCDC-Leistungsstufe, wobei die (...)

Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos