Startseite Energiemanagement Power stages Gallium nitride (GaN) power stages
Startseite
Energiemanagement
Power stages
Gallium nitride (GaN) power stages

LMG3422R030

AKTIV

GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung

Jetzt bestellen
Datenblatt

LMG3422R030

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

VDS (max) (mV) 600000 RDS(on) (mΩ) 30
VDS (max) (mV) 600000 RDS(on) (mΩ) 30
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2.2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3426R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2.2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3426R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters

The LMG342xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG342xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

The LMG342xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG342xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

open-in-new Andere Gallium nitride (GaN) power stages suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

open-in-new Alternativen vergleichen
Gleiche Funktionalität, gleiche Pinbelegung wie verglichener Baustein
LMG3422R050 AKTIV GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung Same functionality with different on-resistance
Ähnliche Funktionalität wie verglichener Baustein
LMG3522R030 AKTIV GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung Same functionality with top-side cooling

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 10
Typ Titel Datum
* Data sheet LMG342xR030 600 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. E) PDF | HTML 29 Feb 2024
Technical article CLLLC vs. DAB for EV onboard chargers PDF | HTML 21 Dez 2023
Technical article Managing thermals: 3 ways to break through power-density barriers PDF | HTML 16 Okt 2022
Technical article Meeting the power demands of evolving robot system architectures PDF | HTML 13 Okt 2021
White paper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 02 Jun 2021
White paper Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 05 Jan 2021
Application note Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A) PDF | HTML 19 Nov 2020
Technical article How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next gene PDF | HTML 17 Nov 2020
More literature A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 20 Okt 2020
Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 22 Sep 2020

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG342X-BB-EVM — LMG342x Hauptplatine zur Systemevaluierung der Bausteine der LMG342x-Familie

Das LMG342X-BB-EVM ist eine einfach zu handhabende Breakout-Platine zum Konfigurieren einer beliebigen LMG342xR0x0-Halbbrücken-Platine (z. B. LMG3422EVM-043) als Synchron-Abwärtswandler. Das EVM ermöglicht durch die Bereitstellung einer Leistungsstufe, Vorspannungsversorgung und Logikschaltung (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Tochterkarte

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600-V 30-mΩ Halbbrücken-Tochterkarte

Das LMG3422EVM-043 konfiguriert zwei GaN-FETs LMG3422R030 in einer Halbbrücke mit Latched-Überstromschutzfunktion und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen. Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

LMG3422R030 PSpice Model

SNOM767.ZIP (270 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

LMG3422R030 Unencrypted PSpice Model Package

SNOM704.ZIP (12 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
Herunterladen
CAD/CAE-Symbol

LMG3422R030 Step File

SNOR031.ZIP (410 KB)
Herunterladen
Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = Nur mit Exportgenehmigung (1 Minute)
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Galliumnitrid (GaN) ICs
LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — 650-V-Hochspannungs-eMODE-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe LMG3410R050 — 600-V 50 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — 600 V, 70 mΩ-GaN mit integriertem Treiber und zyklusweisem Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung, idealer Diodenmodus LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung für die Automobilindust LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG5200 — GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG2100R044 — 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG2610 — GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3410R050 — GaN mit 600-V und 50 mΩ mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 — 600-V 70 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz sowie Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung, idealer Diodenmodus LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung für die Automobilindust LMG3426R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung LMG3426R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3522R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3526R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu LMG5200 — GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
lock Herunterladen
Berechnungstool

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 — GaN mit 600-V und 50 mΩ mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 — 600-V 70 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz sowie Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
Herunterladen
Berechnungstool

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 — GaN mit 600-V und 50 mΩ mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 — 600-V 70 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz sowie Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
Herunterladen
Referenzdesigns

PMP23338 — 3,6 kW brückenloses Einphasen-Totem-Pole-PFC-Referenzdesign mit E-Meter-Funktionalität

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen auf Galliumnitrid (GaN) basierenden 3,6kW-A-PFC-Wandler (Totem-Pole Brückenlose Leistungsfaktorkorrektur) mit einphasigem Continuous Conduction Mode (CCM) für die Stromversorgung des M-CRPS. Dieses Design enthält Stromzählerfunktionen mit einer (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

TIDA-010265 — 750W-Motorwechselrichter mit C2000-™-MCU und MSPM0 Referenzdesign

Dieses Referenzdesign ist ein 750W-Motorantrieb für eine Waschmaschine oder ähnliche Geräte, das eine Methode zur Implementierung einer sensorlosen feldorientierten Regelung (FOC) für einen dreiphasigen Permanentmagnet-Synchronmotor (PMSM) mit einem Fluss-, Winkel-, Drehzahl- und (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

TIDA-010255 — Referenzdesign für dreiphasige GaN-Inverter (230 VAC, 2 kW) für Robotik und Servoantriebe

Dieses Referenzdesign demonstriert eine hocheffiziente dreiphasige Leistungsendstufe mit 320-VDC-Eingangsspannung unter Verwendung von sechs schnell schaltenden GaN-FETs mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturreporting mit Hot-Side-Mikrocontroller-Steuerung, insbesondere für (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

TIDA-010210 — Bidirektionaler dreiphasiger 11-kV-ANPC basierend auf einem GaN-Referenzdesign

Dieses Referenzdesign stellt eine Designvorlage für die Implementierung einer dreistufigen, dreiphasigen, auf Galliumnitrid (GaN) basierenden ANPC-Inverter-Leistungsstufe bereit. Die Verwendung von schnell schaltenden Leistungsbausteinen ermöglicht das Schalten mit einer höheren Frequenz von (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

TIDA-010203 — Einphasen-Totem-Pole-PFC, 4 kW – Referenzdesign mit C2000 und GaN

This reference design is a 4-kW CCM totem-pole PFC with F280049/F280025 control card and LMG342x EVM board. This design demos a robust PFC solution, which avoids isolated current sense by putting the controller's ground in the middle of a MOSFET leg. Benefitting from non-isolation, AC current (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins Herunterladen
VQFN (RQZ) 54 Optionen anzeigen
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos