The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.
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El LMG3522EVM-042 configura dos transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) LMG3522R030 en un medio puente con la protección de sobrecorriente ciclo a ciclo, la función de protección contra cortocircuitos bloqueada y todos los circuitos periféricos auxiliares necesarios. Esta (...)
El TIDM-02013 es un diseño de referencia de cargador integrado bidireccional. El diseño consiste en una etapa de corrección del factor de potencia (PFC) sin puente de modo de conducción continua intercalada (CCM) totem-pole (TTPL), seguida de una etapa de potencia DCDC CLLLC, todo controlado (...)
| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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| VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
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