Inicio Gestión de la energía Power stages Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG3522R030-Q1

ACTIVO

GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom

Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
    • Junction temperature: –40°C to +150°C, TJ
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
    • Junction temperature: –40°C to +150°C, TJ
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance

The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Productos similares que pueden interesarle

open-in-new Comparar alternativas
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
LMG3522R030 ACTIVO FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura Catalog version with top-side cooling
Misma funcionalidad con diferente configuración de pines que el dispositivo comparado
LMG3422R030 ACTIVO GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados Industrial grade version with bottom-side cooling

Documentación técnica

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

LMG342X-BB-EVM — Módulo de evaluación LMG342x

El LMG342X-BB-EVM es una placa de conexión fácil de usar para configurar cualquier placa de medio puente LMG342xR0x0, como la LMG3422EVM-043, como convertidor buck síncrono. Al proporcionar una etapa de potencia, potencia de polarización y circuito lógico, este módulo de evaluación (EVM) permite (...)

Guía del usuario: PDF | HTML
Tarjeta secundaria

LMG3522EVM-042 — Tarjeta secundaria LMG3522R030-Q1 de GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlado integrado para automoci

El LMG3522EVM-042 configura dos transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) LMG3522R030 en un medio puente con la protección de sobrecorriente ciclo a ciclo, la función de protección contra cortocircuitos bloqueada y todos los circuitos periféricos auxiliares necesarios. Esta (...)

Guía del usuario: PDF
Modelo de simulación

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model
Herramienta de cálculo

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
LMG2100R026 Etapa de potencia de nitruro de galio (GaN) de medio puente de 100 V y 2.6 mΩ LMG2100R044 Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote LMG2610 Semipuente de GaN de 650 V 170/248 mΩ para ACF con controlador, protección y detección de corriente LMG2650 Medio puente de GaN de 650 V y 95 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados LMG3410R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3425R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3425R050 GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3426R030 Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con conductor inte LMG3426R050 Transistor FET de GaN de 600 V y 50 mΩ con conductor integrado, protección y detección de tensión LMG3427R030 Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con controlador, prot LMG3522R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3522R050 FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3526R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero LMG3526R050 FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección y notificación ante detección d LMG5200 Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V
Herramienta de cálculo

SNOR029 GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
LMG3410R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3522R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3526R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero
Herramienta de cálculo

SNOR030 GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
LMG3410R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3522R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3526R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero
Diseños de referencia

PMP22650 — Diseño de referencia de cargador de a bordo bidireccional de 6,6 kW basado en GaN

El diseño de referencia PMP22650 es un cargador integrado bidireccional de 6.6 kW. El diseño emplea un PFC tótem bifásico y un convertidor CLLLC de puente completo con rectificación síncrona. El CLLLC utiliza la modulación de frecuencia y de fase para regular la salida en todo el rango de (...)
Test report: PDF
Esquema: PDF
Diseños de referencia

TIDM-02013 — Diseño de referencia de cargador integrado de 7.4 kW con PFC de tótem CCM y CC/CC CLLLC mediante MCU

El TIDM-02013 es un diseño de referencia de cargador integrado bidireccional. El diseño consiste en una etapa de potencia sin puente de corrección del factor de potencia (PFC) en modo de conducción continua (CCM) intercalada, seguida de una etapa de potencia CLLLC DCDC, todo ello controlado a (...)
Design guide: PDF
Diseños de referencia

TIDA-010236 — Diseño de referencia de PFC de tótem GaN de 4 kW para electrodomésticos

Este diseño de referencia es una corrección del factor de potencia (PFC) de tótem en modo de conducción continua (CCM) de 4 kW con una placa secundaria de nitruro de galio (GaN) con refrigeración superior y un controlador digital TMS320F280025C. Junto con las funciones de protección integradas de (...)
Design guide: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos