我們提供廣泛多元的 DDR 終端器產品組合以滿足您的系統需求，並提供線性和切換穩壓器型解決方案供您選擇。DDR VDDQ 和 VTT 裝置具有低內部參考，可調節低 DDR 核心和終端輸出電壓。與標準線性和切換穩壓器相比，DDR 終端器可汲極或源極終端電流，並具有電流能力與外部參考輸入，以追蹤 VDDQ/2 輸入並產生 VTT 終端軌。
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技術資源
Application note
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
了解 DDR 應用中的終端電壓 (VTT)。本應用說明將比較被動和主動 VTT 終端的功率損耗和電壓偏差。
Technical article
Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
進一步了解雙數據速率 (DDR) 記憶體如何憑藉在時脈上升和下降邊緣的讀取與寫入能力，在許多電子系統中實現高速與性能。
Technical article
Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
在此技術文章中，我們將以全新 TPS54116-Q1 DDR 記憶體電源解決方案為例，提供嘗試在 2 MHz 下運作時的重要考量。
設計與開發資源
開發板
TPS51200 汲極源極 DDR 終端穩壓器
TPS51200EVM 評估板 HPA322A 旨在評估 TI 成本最佳化的 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 終端穩壓器 TPS51200 的性能和特性。TPS51200 旨在為 DDR 記憶體提供適當的終止電壓與 10-mA 緩衝參考電壓，該電壓涵蓋 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 規格，且僅需最少外部零組件。
開發板
具有 VTTREF 緩沖參考的 2-A 峰值汲極/源極 DDR 終端穩壓器
TPS51206EVM-745 評估模組 (EVM) 使用 TPS51206。TPS51206 是一款具有 VTTREF 緩衝參考輸出的汲極/源極雙資料速率 (DDR) 終端穩壓器。本裝置專為低輸入電壓、低成本、低外部元件數量系統設計，其中空間是關鍵考量因素。TPS51206EVM-745 旨在爲 DDR 記憶體提供適當的終止電壓和 10-mA 緩衝參考電壓，該電壓涵蓋 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 規格，且外部零組件降到最少。
開發板
TPS54116-Q1 車用 DDR 電源解決方案評估模組
此評估模組旨在展示採用 TPS54116-Q1 穩壓器設計時，可實現的精簡印刷電路板面積。外部分壓器實現可調整的輸出電壓。TPS54116-Q1 DC/DC 轉換器是一款同步降壓轉換器，旨在提供最高 4A 的輸出，以及用於 DDR 記憶體終端的整合式 1A 源極/汲極 LDO。