我們的被動式與離散式元件以小型封裝選項提供高性能，適用於各種應用。裝置包括防護二極體、高準確度矽基線性熱敏電阻、超低雜訊接面場效電晶體、固定頻率振盪器和精密薄膜電阻器。我們的技術進步有助於可靠地保護系統、強化設計整合，以及提供功能與性能，同時還可縮減解決方案尺寸和功耗。
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運用我們頂尖的離散式技術簡化您的設計程序
可靠保護系統免受 ESD 與突波事件影響
我們的靜電放電 (ESD)、暫態電壓抑制器 (TVS) 和稽納二極體產品組合包括多種封裝和電壓選項。
優點：
- <0.5pF ESD 二極體可保護速度高達 30GHz 的資料線路，確保正常運作期間的訊號完整性。
- 平箝位 TVS 技術提供可靠的解決方案，可消散突波暫態，並具備精密、平坦、不受溫度影響的箝位電壓，能將受保護系統的殘餘電壓降至最低。
- 產品組合中的車規裝置符合嚴格標準，適用於需要高達 30kV 保護的系統。
Application note
Capacitance Requirements for High Speed Signals (Rev. A)
此應用說明解說 ESD 防護二極體對高速訊號帶來的電容負載。
Selection guide
System-Level ESD Protection Guide (Rev. D)
此選擇指南簡潔說明 TI 的 ESD 裝置如何協助降低 ESD 衝擊所造成的災難性系統故障。
White paper
Flat-Clamp surge protection technology for efficient system protection
我們的平箝位 TVS 二極體如何及為何能提供超越傳統 TVS 解決方案的突波保護。
以薄膜 SiCr 電阻器網路實現高性能電路
我們的薄膜矽鉻電阻器網路使用指叉技術，以達到高度的元件對元件匹配，並對老化和溫度應力具有恢復力。
優點：
- 薄膜 SiCr 可在小尺寸中實現高指叉度，並提供比厚膜解決方案更低的閃爍雜訊。
- 晶片內建指叉可有效讓多個電阻器占用晶圓上的相同位置，確保晶圓上薄膜電阻材料的任何變化都會對所有電阻器造成同等影響。
- 匹配電阻器可實現極低的比率溫度係數，且一般漂移為 0.2ppm/°C 或以下。
Application note
Optimizing CMRR in Differential Amplifier Circuits With Precision Matched Resist
深入了解差動訊號，以及使用比率匹配精密電阻網路實現高共模拒斥比的優勢。
以 Burr-Brown™ JFET 實現低雜訊、高阻抗感測器和音訊電路
相較於整合式放大器，離散式接面場效電晶體 (JFET) 可實現更低的雜訊，且功耗相對較低，因此是電感式感測器的絕佳選擇，而電感式感測器可能需要具備低電壓與低電流雜訊的放大器。
優點：
- 近似於雙極接面電晶體的極低寬頻電壓雜訊位準，但具有極低電流雜訊的額外優勢。
- 單通道彈性及雙通道匹配選項。
- 相較於個別電晶體，在相同晶粒上以單體方式製作的一對 JFET 可更妥善地彼此匹配，防止在高增益電路中造成 DC 偏移。
Application brief
Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors
探索適用高阻抗感測器的超低雜訊 JFET 前置放大器設計，並比較拓撲結構，以平衡各種來源阻抗的電流消耗與雜訊性能。
Application brief
Trade-offs Between CMOS, JFET, and Bipolar Input Stage Technology
了解如何區分 CMOS、JFET 和雙極運算放大器技術，並著重於雜訊、輸入阻抗、偏移與漂移間的取捨，以引導選擇適用於低雜訊應用的裝置。
Application note
JFE2140 Ultra-Low-Noise Pre-Amplifier
了解如何在複合放大器中使用 JFET 和運算放大器，以放大來自高阻抗感測器的小訊號，並著重於音訊應用的穩定性和雜訊降低。
實現準確的熱監控，同時降低系統複雜性
線性矽基熱敏電阻可在各種溫度下維持高靈敏度，強化性能與可靠性。
優點：
- 免除線性化電路或硬體式電阻電容器濾波器。
- 相較於負溫度係數 (NTC) 熱敏電阻，可更快且更準確地執行軟體轉換，同時降低記憶體要求。
- 準確度可比 NTC 熱敏電阻高出 50%，且無需多點校準。
- 由於熱質量較低，因此在較高溫度下的反應時間可加快近 300%，且靈敏度更高。
- 產品組合包括 TI 功能安全能力裝置，以及失效率/故障模式分配文件。
- 低自熱可將長期感測器漂移降到最低。
User guide
NTC Thermistor to TMP6 Linear Thermistor Replacement Guide
此使用指南說明將 NTC 熱敏電阻系統轉換為線性矽基熱敏電阻系統時的硬體和軟體設計考量。
Application note
Achieve ±1°C Accuracy or Better Across Temp. W/Low-Cost TMP6x Linear Thermistors
此應用說明提供使用 TMP6x 線性矽基熱敏電阻實現更高準確度的步驟和虛擬碼。與 NTC 不同，在任何溫度下都只需單點校準就可達到更高的準確度。
善用我們振盪器中的 BAW 技術優勢
與現有的石英和微機電諧振器技術相比，突破性體聲波 (BAW) 諧振器提供了許多改善之處。我們產品組合包括的振盪器具有從 1MHz 到 400MHz 的頻率範圍、業界標準封裝、低功耗和廣泛的供應電壓範圍。
優點：
- BAW 架構晶體振盪器提供出色的可靠性，包括振動與衝擊、平均故障間隔時間 (MTBF)、溫度穩定性、老化與環境因素等。
- 可達到低於 100fs 的均方根抖動。
- 以 BAW 振盪器取代石英振盪器時，不需要變更任何設計或印刷電路板佈局。
Application note
Standalone BAW Oscillators Advantages Over Quartz Oscillators
此應用報告詳細說明 TI BAW 技術、整合 BAW 諧振器與振盪器電路以製作獨立振盪器，以及相較於使用石英振盪器，使用 BAW 振盪器可帶來的優勢。
Application note
Vibration and Mechanical Shock Performance of TI BAW Oscillators
此文詳細說明在嚴格正弦、隨機振動和機械衝擊條件下的 BAW 振盪器性能，並說明各種軍用標準 883 測試方法、測試設定和性能。
Application note
High Reliable BAW Oscillator MTBF and FIT Rate Calculations
此文提供 MTBF 和失效率值的計算與結果，以讓 BAW 振盪器達到最佳 MTBF，並且也提供這些計算的程序。
技術資源
Product overview
Navigating Precision Resistor Networks
此文件提供精密電阻器網路的詳細概覽，著重於匹配電阻器對、其配置、比率和應用，特別是在放大器中的情況。
影片系列
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此訓練網頁包含數部短片，說明靜電放電與突波防護設計考量。透過章節形式單元，以您自己的步調學習。
Application note
Standalone BAW Oscillators Advantages Over Quartz Oscillators
了解 BAW 振盪器相對於石英振盪器的主要優勢，包括更高的靈活性，以及更佳的溫度穩定性和抖動性能。