MOSFETs

Liefert niedrige Gate-Ladung und geringen Widerstand für schnell schaltende Transistoren

parametric-filterAlle Produkte zeigen
Die NexFET™-MOSFETs von TI bieten eine breite Palette von N-Kanal- und P-Kanal-Leistungsmodulen und diskreten Stromversorgungslösungen. Unsere hochintegrierten MOSFETs unterstützen höhere Wirkungsgrade, längere Batterielebensdauer, höhere Leistungsdichte und höhere Frequenzen für schnelles Schalten. Diese Vorteile bieten Designflexibilität in kleinen Formfaktoren und ermöglichen es Entwicklungsingenieuren, die Markteinführungszeit zu verkürzen.

Nach Kategorien durchsuchen

CSD93501-Q1
Leistungsstufen

Synchronous buck monolithic smart power stage

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.6

FemtoFET™-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal & P-Kanal-MOSFETs

FemtoFET™-N-Kanal- und PKanal-MOSFETs sind die kleinsten, MOSFETs mit geringem Durchlasswiderstand, welche derzeit auf dem Markt erhältlich sind. FemtoFET-MOSFETs befinden sich in einem LGA-Gehäuse (Land Grid Array), bei welchem es sich um ein Gehäuse in der Größe eines Siliziumchips mit Metallkontakten anstelle von Lötkugeln handelt. Diese eignen sich ideal für Mobiltelefone, Tablets und andere Anwendungen, bei welchen möglichst kompakte Platinenmaße und eine Verlängerung der Batterielaufzeit erforderlich sind.

Application note
MOSFET Support and Training Tools (Rev. B)
Erkunden Sie unser umfassendes Angebot an Literatur und Tools für die Unterstützung Ihrer Leistungs-MOSFET-Designs.
PDF | HTML
Technischer Artikel
Wie wählt man einen MOSFET aus – grundlegende Querverweise
Lernen Sie die drei grundlegenden Schritte zum Vergleich Ihrer MOSFETs.
Technischer Artikel
Wie wählt man einen MOSFET aus – Lastumschaltung
Erfahren Sie mehr über die wichtigsten Überlegungen zur Verwendung Ihres MOSFET als Lastschalter. 
Vorgestellte Produkte für FemtoFET™-MOSFETs
CSD13380F3 ACTIVE 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection
CSD17585F5 ACTIVE 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 33 mOhm, gate ESD protection
CSD23280F3 ACTIVE -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection

Technische Ressourcen

Videoreihe
Videoreihe
Alles zum Thema Mosfet-Anwendungen
Diese Serie stellt grundlegende Tipps und Tricks zum Auswählen und Entwickeln mit einem MOSFET bereit.
Technischer Artikel
Technischer Artikel
Verstehen von MOSFET-Datenblättern, Teil 1 - UIS/Avalanche-Einstufungen
Informationen zur Interpretation der UIS/Avalanche-Festigkeit finden Sie auf einem MOSFET-Datenblatt.
Technischer Artikel
Technischer Artikel
Was scheint im Datenblatt des Leistungs-MOSFETs nicht auf, Teil 1: Temperaturabhängigkeit
Erfahren Sie mehr darüber, was in einem MOSFET-Datenblatt enthalten ist und was noch wichtiger ist: Was nicht.

Design- & Entwicklungsressourcen

Calculation tool
MOSFET power loss calculator for synchronous buck converter applications
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Calculation tool
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
Calculation tool
MOSFET power loss calculator for load switch applications
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.

Referenzdesigns für MOSFETs

Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs finden.