Gate-Treiber
Effiziente und zuverlässige Ansteuerung beliebiger Leistungsschalter auf jeder Leistungsstufe für jede Anwendung
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Isolierter, einstellbarer 20-A-IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit erweitert
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 5.9
30-A/5-A-Zweikanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Gegenstromschutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.437
Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit 4 A, 6 A, 5,7 kVRMS und EN- und DT-
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.11
Isolierter 30-A-5,7-kV-VRMS-IGBT/SiC-MOSFET-isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich mit erw
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.98
Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für SiC/IGBT für die Automobilindustrie, ±10 Am 5,7 kV RMS, mit
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.86
10 A, isolierter Einzelkanal-Gate-Treiber für SiC/IGBT, aktiver Kurzschlussschutz für die Automobili
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.443
Technologien mit großem Bandabstand
Hochgeschwindigkeits-GaN-Gate-Treiber, welche hohe Leistungsdichte und ein einfaches Design für jegliche Topologie ermöglichen
Aufgrund ihrer Eigenschaften wie schnelle Timing-Spezifikationen, bleifreie Gehäuse und schmalem Pulsweitenverhalten können Sie dank unserer Treiber FETs schnell wechseln. Zusätzliche Funktionen wie Gate-Spannungsregelung, programmierbare Totzeit und niedriger interner Stromverbrauch sorgen dafür, dass hochfrequente Schaltvorgänge den höchstmöglichen Wirkungsgrad erzielen.
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. A)
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
Siliziumkarbid-Gate-Treiber (SiC) für energieeffiziente, robuste und kompakte Systemdesigns
Steigern Sie die Effizienz Ihres Designs mit unseren SiC- und IGBT-Gate-Treibern, und profitieren Sie von höheren Treiberströmen, hohen CMTI-Werten und kurzen Ausbreitungsverzögerungen. Unsere SiC-Gate-Treiber unterstützen Sie dabei, eine robuste Isolierung in Ihrem System mit schnellem integrierten Kurzschlussschutz und hoher Überspannungsfestigkeit zu erzielen. Kleinere, leichtere und kostengünstigere Systeme durch Umstellung auf SiC bei höheren PWM-Frequenzen mit unseren schnellen, robusten und zuverlässige Treibern.