Gate-Treiber
Effiziente und zuverlässige Ansteuerung beliebiger Leistungsschalter auf jeder Leistungsstufe für jede Anwendung
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Isolierter 30-A-IGBT/SiC-MOSFET-Gatetreiber für die Automobilindustrie mit erweiterten Schutzfunktio
3-A, 120-V half bridge gate driver with 5-V UVLO and enable
Technologien mit großem Bandabstand
Hochgeschwindigkeits-GaN-Gate-Treiber, welche hohe Leistungsdichte und ein einfaches Design für jegliche Topologie ermöglichen
Aufgrund ihrer Eigenschaften wie schnelle Timing-Spezifikationen, bleifreie Gehäuse und schmalem Pulsweitenverhalten können Sie dank unserer Treiber FETs schnell wechseln. Zusätzliche Funktionen wie Gate-Spannungsregelung, programmierbare Totzeit und niedriger interner Stromverbrauch sorgen dafür, dass hochfrequente Schaltvorgänge den höchstmöglichen Wirkungsgrad erzielen.
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. A)
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
Siliziumkarbid-Gate-Treiber (SiC) für energieeffiziente, robuste und kompakte Systemdesigns
Steigern Sie die Effizienz Ihres Designs mit unseren SiC- und IGBT-Gate-Treibern, und profitieren Sie von höheren Treiberströmen, hohen CMTI-Werten und kurzen Ausbreitungsverzögerungen. Unsere SiC-Gate-Treiber unterstützen Sie dabei, eine robuste Isolierung in Ihrem System mit schnellem integrierten Kurzschlussschutz und hoher Überspannungsfestigkeit zu erzielen. Kleinere, leichtere und kostengünstigere Systeme durch Umstellung auf SiC bei höheren PWM-Frequenzen mit unseren schnellen, robusten und zuverlässige Treibern.