Gate-Treiber

Effiziente und zuverlässige Ansteuerung beliebiger Leistungsschalter auf jeder Leistungsstufe für jede Anwendung

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Wählen Sie aus unserem umfassenden Sortiment an isolierten, Halbbrücken- und Low-Side-Gate-Treibern, welche IGBTs, GaNFETs und SiCFETs unterstützen, um Ihr Design zu optimieren. Unsere Gate-Treiber-Lösungen, Ressourcen und unser Know-how machen es Ihnen einfacher, effiziente und zuverlässige Systeme hoher Leistungsdichte zu entwickeln.

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Zugehörige Kategorien
Motortreiber

Unsere Motorantriebslösungen vereinfachen das Design, reduzieren den Platzbedarf auf der Platine und senken die Systemkosten. 

Finden Sie Ihren Gate-Treiber nach Anwendung

UCC5880-Q1
Isolierte Gate-Treiber

Isolierter, einstellbarer 20-A-IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit erweitert

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 5.9

UCC27624-Q1
Low-Side-Treiber

30-A/5-A-Zweikanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Gegenstromschutz

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.437

UCC21551-Q1
Isolierte Gate-Treiber

Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit 4 A, 6 A, 5,7 kVRMS und EN- und DT-

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.11

UCC5871-Q1
Isolierte Gate-Treiber

Isolierter 30-A-5,7-kV-VRMS-IGBT/SiC-MOSFET-isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich mit erw

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.98

UCC21755-Q1
Isolierte Gate-Treiber

Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für SiC/IGBT für die Automobilindustrie, ±10 Am 5,7 kV RMS, mit

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.86

UCC21737-Q1
Isolierte Gate-Treiber

10 A, isolierter Einzelkanal-Gate-Treiber für SiC/IGBT, aktiver Kurzschlussschutz für die Automobili

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.443

Technologien mit großem Bandabstand

Hochgeschwindigkeits-GaN-Gate-Treiber, welche hohe Leistungsdichte und ein einfaches Design für jegliche Topologie ermöglichen

Aufgrund ihrer Eigenschaften wie schnelle Timing-Spezifikationen, bleifreie Gehäuse und schmalem Pulsweitenverhalten können Sie dank unserer Treiber FETs schnell wechseln. Zusätzliche Funktionen wie Gate-Spannungsregelung, programmierbare Totzeit und niedriger interner Stromverbrauch sorgen dafür, dass hochfrequente Schaltvorgänge den höchstmöglichen Wirkungsgrad erzielen.

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GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
Dieser Artikel bietet eine Betrachtung auf hohem Niveau, wie Materialien mit großem Bandabstand gekoppelt mit dem Hochspannungssortiment von TI Stromversorgungen optimieren können.
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An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. A)
Dieses Dokument stellt eine Einführung in die Lichterkennung und -Entfernungsmessung (Lidar) in der Automobilindustrie sowie Lösungen für autonome Antriebssysteme bereit.
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Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
Erfahren Sie, warum Ihre Wahl des Gate-Treibers entscheidend ist, um das volle Potenzial von GaN auszuschöpfen.
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Siliziumkarbid-Gate-Treiber (SiC) für energieeffiziente, robuste und kompakte Systemdesigns

Steigern Sie die Effizienz Ihres Designs mit unseren SiC- und IGBT-Gate-Treibern, und profitieren Sie von höheren Treiberströmen, hohen CMTI-Werten und kurzen Ausbreitungsverzögerungen. Unsere SiC-Gate-Treiber unterstützen Sie dabei, eine robuste Isolierung in Ihrem System mit schnellem integrierten Kurzschlussschutz und hoher Überspannungsfestigkeit zu erzielen. Kleinere, leichtere und kostengünstigere Systeme durch Umstellung auf SiC bei höheren PWM-Frequenzen mit unseren schnellen, robusten und zuverlässige Treibern.

E-book
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals
Entdecken Sie Lösungen für einige der am häufigsten gestellten Fragen zu Gate-Treibern auf der Basis von IGBT und SiC. 
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Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
SiC kann sein volles Potenzial nicht ohne das richtige Ökosystem realisieren, in diesem Fall Gate-Treiber. Erfahren Sie mehr über diese bahnbrechende Technologie und deren Auswirkung auf die Leistungselektronik.
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Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. B)
Kennenlernen und Vergleichen der verschiedenen Kurzschlussschutzmethoden für SiC-MOSFETs.
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Technische Ressourcen

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Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
Dieser Anwendungshinweis demonstriert einen systematischen Ansatz zur Entwicklung von Hochleistungs-Gate-Treiberschaltkreisen für Anwendungen mit hohen Schaltgeschwindigkeiten.
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Ressource
Ressource
Häufig gestellte Fragen (FAQs) zu Gate-Treibern
Diese FAQ-Seite bietet einen übersichtlichen Einblick in unsere Lösungen für gebräuchliche Fragestellungen und Designherausforderungen im Zusammenhang mit Gate-Treibern.
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Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
Dieses Whitepaper erläutert die Vorteile und Anforderungen von isolierten Gate-Treibern in Abhängigkeit von einem Netzschalter.
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Design- & Entwicklungsressourcen

Reference design
Power stage reference design for <100-VIN DC/DC converters
This reference design implements a high frequency power stage design based on the UCC27282 120-V half-bridge MOSFET driver and CSD19531 100-V power MOSFETs. With efficient switches and flexible VGS operating range, this design can reduce overall gate drive and conduction losses to achieve (...)
Reference design
Three-phase inverter reference design for 200-480 VAC drives with opto-emulated input gate drivers
This reference design realizes a reinforced isolated three-phase inverter subsystem using isolated IGBT gate drivers and isolated current/voltage sensors. The UCC23513 gate driver used has a 6-pin wide body package with optical LED emulated inputs which enables its use as pin-to-pin replacement to (...)
Reference design
480W, <17 mm, Thin Profile, 94% Efficiency, Fast Transient Response AC/DC SMPS Reference Design
The TIDA-01495 is a low profile (17 mm height), 94.1% peak efficiency, high power density, universal input, 24-V DC, 480-W output, consumer AC/DC power supply reference design. The circuit consists of a front-end two phase interleaved transition mode (TM) power factor correction (PFC) based on the (...)

Referenzdesigns für Gate-Treiber

Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs finden.