Gate-Treiber

Effiziente und zuverlässige Ansteuerung beliebiger Leistungsschalter auf jeder Leistungsstufe für jede Anwendung

parametric-filterAlle Produkte anzeigen
Wählen Sie aus unserem umfassenden Sortiment an isolierten, Halbbrücken- und Low-Side-Gate-Treibern, welche IGBTs, GaNFETs und SiCFETs unterstützen, um Ihr Design zu optimieren. Unsere Gate-Treiber-Lösungen, Ressourcen und unser Know-how machen es Ihnen einfacher, effiziente und zuverlässige Systeme hoher Leistungsdichte zu entwickeln.

Nach Kategorien durchsuchen

Zugehörige Kategorien
Motortreiber

Unsere Motorantriebslösungen vereinfachen das Design, reduzieren den Platzbedarf auf der Platine und senken die Systemkosten. 

Finden Sie Ihren Gate-Treiber nach Anwendung

UCC57102-Q1
Low-Side-Treiber

Low-Side-Treiber (3 A/3 A) für die Automobilindustrie mit Entsättigungsschutz und 12-V-Unterspannung

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.55

UCC27311A-Q1
Halbbrückentreiber

Halbbrücken-Gate-Treiber für 120 V, 4 A, mit 8 V UVLO und Aktivierung, für die Automobilindustrie

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.65

UCC21231
Isolierte Gate-Treiber

Isolierter Hochgeschwindigkeits-Zweikanal-Gate-Treiber mit 4 A Quellen und 6 A Senken

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 1.217

UCC57102
Low-Side-Treiber

Low-Side-Treiber (3 A/3 A) mit Entsättigungsschutz (DESAT) und 12-V-Unterspannungsabschaltung (UVLO)

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.55

UCC27311A
Halbbrückentreiber

Halbbrückentreiber für 120 V, 4 A, mit 8 V UVLO und Aktivierung

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.65

UCC21331
Isolierte Gate-Treiber

Zweikanal-Gate-Treiber, 3 kVRMS, 4 A/6 A, mit Aktivierungslogik und programmierbarer Totzeit

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.44

Technologien mit großem Bandabstand

Hochgeschwindigkeits-GaN-Gate-Treiber, welche hohe Leistungsdichte und ein einfaches Design für jegliche Topologie ermöglichen

Aufgrund ihrer Eigenschaften wie schnelle Timing-Spezifikationen, bleifreie Gehäuse und schmalem Pulsweitenverhalten können Sie dank unserer Treiber FETs schnell wechseln. Zusätzliche Funktionen wie Gate-Spannungsregelung, programmierbare Totzeit und niedriger interner Stromverbrauch sorgen dafür, dass hochfrequente Schaltvorgänge den höchstmöglichen Wirkungsgrad erzielen.

White paper
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
Dieser Artikel bietet eine Betrachtung auf hohem Niveau, wie Materialien mit großem Bandabstand gekoppelt mit dem Hochspannungssortiment von TI Stromversorgungen optimieren können.
PDF
White paper
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. B)
Dieses Dokument stellt eine Einführung in die Lichterkennung und -Entfernungsmessung (Lidar) in der Automobilindustrie sowie Lösungen für autonome Antriebssysteme bereit.
PDF | HTML
White paper
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
Erfahren Sie, warum Ihre Wahl des Gate-Treibers entscheidend ist, um das volle Potenzial von GaN auszuschöpfen.
PDF

Siliziumkarbid-Gate-Treiber (SiC) für energieeffiziente, robuste und kompakte Systemdesigns

Steigern Sie die Effizienz Ihres Designs mit unseren SiC- und IGBT-Gate-Treibern, und profitieren Sie von höheren Treiberströmen, hohen CMTI-Werten und kurzen Ausbreitungsverzögerungen. Unsere SiC-Gate-Treiber unterstützen Sie dabei, eine robuste Isolierung in Ihrem System mit schnellem integrierten Kurzschlussschutz und hoher Überspannungsfestigkeit zu erzielen. Kleinere, leichtere und kostengünstigere Systeme durch Umstellung auf SiC bei höheren PWM-Frequenzen mit unseren schnellen, robusten und zuverlässige Treibern.

E-book
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals
Entdecken Sie Lösungen für einige der am häufigsten gestellten Fragen zu Gate-Treibern auf der Basis von IGBT und SiC. 
PDF
White paper
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
SiC kann sein volles Potenzial nicht ohne das richtige Ökosystem realisieren, in diesem Fall Gate-Treiber. Erfahren Sie mehr über diese bahnbrechende Technologie und deren Auswirkung auf die Leistungselektronik.
PDF
Application brief
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)
Kennenlernen und Vergleichen der verschiedenen Kurzschlussschutzmethoden für SiC-MOSFETs.
PDF | HTML

Technische Ressourcen

More literature
More literature
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
Dieser Anwendungshinweis demonstriert einen systematischen Ansatz zur Entwicklung von Hochleistungs-Gate-Treiberschaltkreisen für Anwendungen mit hohen Schaltgeschwindigkeiten.
document-pdfAcrobat PDF
Ressource
Ressource
Häufig gestellte Fragen (FAQs) zu Gate-Treibern
Diese FAQ-Seite bietet einen übersichtlichen Einblick in unsere Lösungen für gebräuchliche Fragestellungen und Designherausforderungen im Zusammenhang mit Gate-Treibern.
White paper
White paper
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
Dieses Whitepaper erläutert die Vorteile und Anforderungen von isolierten Gate-Treibern in Abhängigkeit von einem Netzschalter.
document-pdfAcrobat PDF

Design- & Entwicklungsressourcen

Referenzdesign
Referenzdesign für Leistungsstufen für DC/DC-Wandler mit <100 VIN
Dieses Referenzdesign implementiert ein Hochfrequenz-Leistungsstufendesign basierend auf dem UCC27282-120-V-Halbbrücken-MOSFET-Treiber und CSD1953-100-V-Leistungs-MOSFETs. Mit effizienten Schaltern und einem flexiblen VGS-Betriebsbereich kann dieses Design die Gesamtverlusssste von (...)
Referenzdesign
Referenzdesign für Dreiphasen-Wechselrichter für 200-480-VAC-Antriebe mit optoemulierten Eingangsgat
This reference design realizes a reinforced isolated three-phase inverter subsystem using isolated IGBT gate drivers and isolated current/voltage sensors. The UCC23513 gate driver used has a 6-pin wide body package with optical LED emulated inputs which enables its use as pin-to-pin replacement to (...)
Referenzdesign
480W,<17 mm, Thin Profile, 94% Efficiency, Fast Transient Response AC/>C SMPS-Referenzdesign

TIDA-01495 is ein AC/DC-Stromversorgungs-Referenzdesign mit niedriger Bauhöhe (17 mm), 94,1 % Spitzenwirkungsgrad, hoher Leistungsdichte, universellem Eingang, Ausgang mit 24 V und 480 W für Verbraucher. Die Schaltung besteht aus einer zweiphasigen (...)

Referenzdesigns für Gate-Treiber

Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs finden.