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LMG3522R030-Q1

AKTIV

GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin

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Datenblatt

LMG3522R030-Q1

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Produktdetails

VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 30
VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 30
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
    • Junction temperature: –40°C to +150°C, TJ
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
    • Junction temperature: –40°C to +150°C, TJ
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance

The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

LMG342X-BB-EVM — LMG342x Hauptplatine zur Systemevaluierung der Bausteine der LMG342x-Familie

Das LMG342X-BB-EVM ist eine einfach zu handhabende Breakout-Platine zum Konfigurieren einer beliebigen LMG342xR0x0-Halbbrücken-Platine (z. B. LMG3422EVM-043) als Synchron-Abwärtswandler. Das EVM ermöglicht durch die Bereitstellung einer Leistungsstufe, Vorspannungsversorgung und Logikschaltung (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Tochterkarte

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 – GaN FET, 650 V, 30 mΩ, integrierte Treibertochterkarte, für die Automobilindustrie

Das LMG3522EVM-042 konfiguriert zwei LMG3522R030 GaN-FETs in einer Halbbrücke mit Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz, Latch-Kurzschlussschutz und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen. Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
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Simulationsmodell

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model
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Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = Nur mit Exportgenehmigung (1 Minute)
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Gallium nitride (GaN) power stages
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Berechnungstool

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 — GaN mit 600-V und 50 mΩ mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 — 600-V 70 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz sowie Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
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SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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LMG3410R050 — GaN mit 600-V und 50 mΩ mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 — 600-V 70 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz sowie Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
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Referenzdesigns

TIDM-02013 — Referenzdesign für 7,4-kW-On‑Board‑Ladegerät mit CCM-Totem-Pole-PFC und CLLLC-DC/DC unter Verwendung

TIDM-02013 ist ein Referenzdesign für ein bidirektionales Onboard-Ladegerät. Das Design besteht aus einer brückenlosen Leistungsfaktorkorrektur-(PFC-)Leistungsstufe mit Interleaved Continuous Conduction Mode (CCM) und Totem-Pole (TTPL), gefolgt von einer CLLLC DCDC-Leistungsstufe, wobei die (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

TIDA-010236 — 4-kW-GaN-Totem-Pole-PFC-Referenzdesign für Haushaltsgeräte

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) mit 4 kW Continuous Conduction Mode (CCM) und einer Galliumnitrid (GaN)-Tochterplatine mit Top-Kühlung und einem digitalen Controller TMS320F280025C . Zusammen mit den integrierten Schutzfunktionen von (...)
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PMP22650 — Referenzdesign für bidirektionales Bordladegerät auf GaN-Basis, 6,6 kW

Das Referenzdesign PMP22650 ist ein bidirektionales 6,6-kW-Bordladegerät. Das Design benützt einen zweiphasigen Totem-Pole-PFC und einen Vollbrücken-CLLLC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung. Der CLLLC verwendet sowohl Frequenz- als auch Phasenmodulation, um den Ausgang über den erforderlichen (...)
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