The LMG3612 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3612 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.
The LMG3612 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
| Typ | Titel | Datum | ||
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| * | Data sheet | LMG3612650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet | PDF | HTML | 14 Nov 2023 |
| Technical article | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 30 Jan 2024 | |
| Product overview | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 28 Nov 2023 |
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LMG3622EVM-082 demonstriert hohe Effizienz und Dichte für einen 65-W-USB Typ-C® Power Delivery (PD)-Offline-Adapter mit dem integrierten GaN-FET LMG3622 mit Strommessemulation. Der Eingang unterstützt eine universelle 90-V/AC-bis 265-VAC und der Einzelausgang kann auf 5 V, 9 V und 15 V eingestellt (...)
| Gehäuse | Pins | Herunterladen |
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| VQFN (REQ) | 38 | Optionen anzeigen |
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The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
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