JAJSWK4 May   2025 OPA810-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 説明
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性:24V
    6. 6.6 電気的特性:5V
    7. 6.7 代表的特性:VS = 24V
    8. 6.8 代表的特性:VS = 5V
    9. 6.9 代表的特性:±2.375V ~ ±12V 分割電源
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 アーキテクチャ
      2. 7.3.2 ESD 保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 分割電源動作 (±2.375V ~ ±13.5V)
      2. 7.4.2 単一電源動作 (4.75V ~ 27V)
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 アンプのゲイン構成
      2. 8.1.2 帰還抵抗の選択
      3. 8.1.3 ノイズ解析と、抵抗素子が全ノイズに及ぼす影響
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 トランスインピーダンス アンプ
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 マルチチャネル センサ インターフェイス
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 8.4.1.1 熱に関する注意事項
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DBV|5
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

詳細な設計手順

トランスインピーダンス ゲインが比較的高い大面積の検出器から高帯域幅を必要とする設計は、OPA810-Q1 の入力電圧ノイズが低下するという利点があります。この入力電圧ノイズは、ダイオードのソース容量により周波数全範囲でピークアップされ、(多くの場合) 入力感度の制限要因となる可能性があります。この設計で重要な要素は、逆バイアス電圧 (VBIAS) が印加されたときに予想されるダイオード容量 (CD)、目的のトランスインピーダンス ゲイン (RF)、OPA810-Q1 の GBWP (70MHz) です。図 8-12 に、表 8-2 で説明したトランスインピーダンス回路とパラメータを示します。これら 3 つの変数セット (および、OPA810-Q1 の寄生入力容量と、CD に追加されたプリント基板 (PCB) を含む) を使用することで、帰還コンデンサの値 (CF) を設定し、周波数応答を制御できます。アプリケーション レポート『高速アンプのトランスインピーダンスに関する考慮事項では、トランスインピーダンス アプリケーションで高速アンプを使用する方法について説明しています。2 次バターワース周波数応答が最大限平坦になるように、式 9 に従って帰還極を設定します。

式 9. 12πRFCIN = GBWP4πRFCD

アンプの入力容量は、同相容量と差動容量 (2.0 + 0.5) pF の合計です。フォトダイオード パッケージと PCB からの寄生容量は約 0.3pF です。式 5 を使用すると、CD = 22.8pF の合計入力容量が得られます。式 9 から、1.55MHz の帰還極を設定します。1.55MHz に極を設定するには、1.03pF の合計帰還容量が必要です。

式 10 は、トランスインピーダンス アンプ回路のおおよその -3dB 帯域幅を示しています。

式 10. f-3dB = GBWP2πRFCDHz

式 10 で 2.19MHz の閉ループ帯域幅を推定します。図 8-13図 8-14 に、図 8-12 のトランスインピーダンス アンプ回路の TINA-TI シミュレーションからのループ ゲインの振幅と位相のプロットを示します。1/β のゲイン曲線には、RF と CIN からのゼロが 70kHz に、RF と CF によって 1/β のゼロを相殺する極が1.5MHz にあります。その結果、ループ ゲインのクロスオーバー周波数 (AOL が 1/β に等しい周波数) において 20dB/decade の閉鎖率となり、安定した回路を実現します。3MHz の閉ループ帯域幅と 100kΩ のトランスインピーダンス ゲインから、62°の位相マージンが得られます。