JAJSP12A July   2024  – November 2025 LM5190-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
    1. 4.1 ウェッタブル フランク
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格 
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  入力電圧範囲 (VIN)
      2. 6.3.2  高電圧バイアス電源レギュレータ (VCC、BIAS)
      3. 6.3.3  高精度イネーブル (EN)
      4. 6.3.4  パワー グッド モニタ (PGOOD)
      5. 6.3.5  スイッチング周波数 (RT)
      6. 6.3.6  低ドロップアウト モード
      7. 6.3.7  デュアル ランダム スペクトラム拡散機能 (DRSS)
      8. 6.3.8  ソフト スタート
      9. 6.3.9  出力電圧の設定ポイント (FB)
      10. 6.3.10 最小制御可能オン時間
      11. 6.3.11 インダクタ電流センシング (ISNS+、VOUT)
      12. 6.3.12 電圧ループ エラー アンプ
      13. 6.3.13 電流モニタ、プログラマブル電流制限、電流ループ エラー アンプ (IMON/ILIM、ISET)
      14. 6.3.14 デュアル ループ アーキテクチャ
      15. 6.3.15 PWM コンパレータ
      16. 6.3.16 スロープ補償
      17. 6.3.17 ヒカップ モード電流制限
      18. 6.3.18 ハイサイド / ローサイド ゲート ドライバ (HO、LO)
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 スリープ モード
      2. 6.4.2 強制 PWM モードと同期 (FPWM/SYNC)
      3. 6.4.3 サーマル シャットダウン
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 パワートレイン コンポーネント
        1. 7.1.1.1 降圧インダクタ
        2. 7.1.1.2 出力コンデンサ
        3. 7.1.1.3 入力コンデンサ
        4. 7.1.1.4 パワー MOSFET
        5. 7.1.1.5 EMI フィルタ
      2. 7.1.2 エラー アンプと補償
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 高効率 400kHz CC-CV レギュレータ
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 7.2.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
          2. 7.2.1.2.2 Excel クイックスタート ツールによるカスタム設計
          3. 7.2.1.2.3 推奨部品
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 7.4.1.1 出力段レイアウト
        2. 7.4.1.2 ゲート ドライブレイアウト
        3. 7.4.1.3 PWM コントローラのレイアウト
        4. 7.4.1.4 熱設計およびレイアウト
        5. 7.4.1.5 グランド プレーン設計
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイス サポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
        1. 8.2.1.1 PCB レイアウトについてのリソース
        2. 8.2.1.2 熱設計についてのリソース
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.5 電気的特性

TJ = –40°C ～ 150°C。標準値は TJ = 25°C、VIN = 12V、EN は VIN に接続 (特に記述のない限り)。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源 (VIN)
IQ-SD VIN シャットダウン電流 VEN = 0 V 2.3 4.5 µA
IQ-SD-48V VIN シャットダウン電流 VEN = 0V、VIN = 48V 4.5 µA
IQ-SBY VIN スタンバイ 電流 非スイッチング、0.5V ≤ VEN ≤ 1V 100 µA
IQ-SBY-48V VIN スタンバイ 電流 非スイッチング、0.5V ≤ VEN ≤ 1V、VIN=48V 120 µA
ISLEEP1 スリープ電流、5V VIN = 24V、VVOUT = VBIAS = 5V、スリープ モード、VFPWM/SYNC = AGND、ISET はフローティング 15 30 µA
ISLEEP1-48V スリープ電流、5V、VIN = 48V VIN = 48V、VVOUT = VBIAS = 5V、スリープ モード、VFPWM/SYNC = AGND、ISET はフローティング 12 µA
ISLEEP2 スリープ電流、12V VIN = 24V、VVOUT = VBIAS = 12V、スリープ モード、VFPWM/SYNC = AGND、ISET はフローティング 20 35 µA
ISLEEP2-48V スリープ電流、12V、VIN = 48V VIN = 48V、VVOUT = VBIAS = 12V、スリープ モード、VFPWM/SYNC = AGND、ISET はフローティング 12 µA
ENABLE (EN)
VSBY-TH シャットダウンからスタンバイへのスレッショルド VEN 立ち上がり 0.55 V
VEN-TH イネーブル電圧立ち上がりスレッショルド VEN 立ち上がり、スイッチングが有効 0.95 1.0 1.05 V
VEN-HYS イネーブルヒステリシス電圧 100 mV
内部 LDO (VCC)
VVCC-REG VCC のレギュレーション電圧 IVCC = 0mA ～ 110mA 7.125 7.5 7.875 V
VVCC-UVLO VCC UVLO 立ち上がりスレッショルド 4.65 4.8 4.95 V
VVCC-HYS VCC UVLO ヒステリシス 425 mV
IVCC-LIM 内部 LDO 短絡電流制限 220 mA
外部バイアス (BIAS)
VBIAS-TH VIN から VBIAS への切り替え立ち上がりスレッショルド 8.55 9 9.45 V
VBIAS-HYS VIN から VBIAS への切り替えヒステリシス 400 mV
基準電圧
VREF-V レギュレーション済み FB 電圧 VIMON = 0V 792 800 808 mV
VREF-I 電流ループの基準電圧 VFB = 0 V 0.99 1 1.01 V
出力電圧 (VOUT)
VOUT-5V 5V 出力電圧設定ポイント FB を AGND に接続 4.95 5.0 5.05 V
VOUT-12V 12V 出力電圧設定ポイント FB を VCC に接続、VIN = 24V 11.88 12 12.12 V
エラー アンプ (COMP)
Gm-VEA 電圧ループ EA 相互コンダクタンス ΔVFB = 100mV 1000 µs
gm-IEA 電流ループ EA 相互コンダクタンス ΔVIMON = 100mV 1000 µs
IFB 誤差アンプ入力バイアス電流 75 nA
ICOMP-SRC EA ソース電流 VCOMP = 1V 120 µA
ICOMP-SINK EA シンク電流 VCOMP = 1V 120 µA
出力電流モニタ (IMON/ILIM)
gm-IMON VCS からのモニタ アンプ ゲイン VCS = 40mV 1.94 2 2.06 µA/mV
IOFFSET モニタ アンプのオフセット電流 VCS = 0mV 22.5 25 27.5 µA
電流設定 (ISET)
IISET ISET ソース電流 9 10 11 µA
強制 PWM モード (FPWM/SYNC)
VZC-SW ゼロクロスのスレッショルド SW-PGND のスレッショルド -5.5 mV
スイッチング周波数
VRT RT ピンのレギュレーション電圧 10kΩ < RRT < 242kΩ 1 V
FSW1 スイッチング周波数 1 VIN = 12V、AGND への RRT = 242kΩ 90 100 110 kHz
FSW2 スイッチング周波数 2 VIN = 12V、AGND への RRT = 10kΩ 2.0 2.2 2.4 MHz
VSLOPE 勾配補償ランプの振幅 ISNS+ から VOUT 入力へ参照 45 mV
tON-MIN 最小オン時間 26 50 ns
tOFF-MIN 最小オフ時間 80 125 ns
パワー グッド (PGOOD)
VPG-UV パワーグッド UV トリップ レベル レギュレーションされた電圧に応じて減少 90% 92% 94%
VPG-OV パワーグッド OV トリップ レベル レギュレーションされた電圧に応じて増加 108% 110% 112%
VPG-UV-HYST パワー グッド UV ヒステリシス 3.1%
VPG-OV-HYST パワー グッド OV ヒステリシス 3.1%
VPG-OL PG 電圧 オープンコレクタ、IPG = 4mA 0.8 V
過電圧保護
VOVTH-RISING 過電圧スレッショルド レギュレーションされた電圧に応じて増加 108% 110% 112%
VOVTH-HYST 過電圧スレッショルド (ヒステリシス) 3.1%
スタートアップ (ソフトスタート)
tSS-INT 内部固定ソフトスタート時間 1.9 2.75 3.8 ms
ブート回路
VBOOT-DROP 内部ダイオードの順方向電圧降下 ICBOOT = 20mA、VCC から CBOOT 0.8 1 V
IBOOT CBOOT から SW への静止電流、スイッチングなし VEN = 5V、VCBOOT-SW = 7.5V 25 µA
VBOOT-SW-UV-F CBOOT から SW UVLO 立ち下がりスレッショルド VCBOOT-SW 立ち下がり 2.75 3.1 3.75 V
VBOOT-SW-UV-HYS CBOOT から SW UVLO ヒステリシス 0.24 V
ハイサイドゲートドライバ (HO)
VHO-HIGH HO High 状態出力電圧 IHO = –100mA、VHO-HIGH = VCBOOT – VHO 300 mV
VHO-LOW HO Low 状態出力電圧 IHO = 100mA 75 mV
tHO-RISE HO 立ち上がり時間 (10% から 90% へ) CLOAD = 2.7nF 20 ns
tHO-FALL HO 立ち下がり時間 (90% から 10% へ) CLOAD = 2.7nF 8 ns
ローサイドゲートドライバ (LO)
VLO-HIGH LO High 状態出力電圧 ILO = -100mA 300 mV
VLO-LOW LO Low 状態出力電圧 ILO = 100mA 75 mV
tLO-RISE LO 立ち上がり時間 (10% から 90% へ) CLOAD = 2.7nF 20 ns
tLO-FALL LO 立ち下がり時間 (90% から 10% へ) CLOAD = 2.7nF 8 ns
アダプティブ デッドタイム制御
tDEAD1 HO オフから LO オンまでのデッドタイム (1) 21 ns
tDEAD2 LO オフから HO オンまでのデッドタイム (1) 21 ns
過電流保護
VCS-TH Current limit threshold ISNS+ から VOUT まで測定 54 60 68 mV
VCS-TH-MIN 負のピーク電流制限スレッショルド ISNS+ から VOUT まで測定 12 mV
ACS CS アンプゲイン 9.5 10 10.6 V/V
VCS-NEG CS の負電圧スレッショルド -30 mV
サーマル シャットダウン
TJ-SD サーマル シャットダウンのスレッショルド (1) 温度上昇 175 °C
TJ-HYS サーマル シャットダウン ヒステリシス (1) 15 °C
(1) 設計により規定されています。実製品の検査は行っていません。