JAJSWY6 July   2025 TRF1305C1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性 - D2D 構成での AC 仕様
    6. 6.6 電気的特性 - S2D 構成での AC 仕様
    7. 6.7 電気的特性 - DC およびタイミング仕様
    8. 6.8 代表的特性：D2D 構成
    9. 6.9 代表的特性：S2D 構成
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 完全差動 RF アンプ
      2. 7.3.2 出力同相モード制御
      3. 7.3.3 内部抵抗構成
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 MODE ピン
        1. 7.4.1.1 入力同相拡張
      2. 7.4.2 パワーダウン モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 入出力インターフェイスに関する検討事項
        1. 8.1.1.1 シングル エンド入力
        2. 8.1.1.2 差動入力
        3. 8.1.1.3 DC 結合に関する検討事項
      2. 8.1.2 差動入力構成での外付け抵抗によるゲイン調整
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 ゼロ IF レシーバの ADC ドライバとしての TRF1305C1
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
      1. 8.3.1 電源電圧
      2. 8.3.2 単電源動作
      3. 8.3.3 単一電源動作
      4. 8.3.4 電源のデカップリング
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 8.4.1.1 熱に関する注意事項
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.1.2 差動入力構成での外付け抵抗によるゲイン調整

TRF1305x1 では、差動入力構成の一部である入力外部抵抗回路を構成することで、ゲインを多少調整できます。図 8-5に、シャント抵抗 RIN_SH と、アンプの入力ピンに接続された 2 つの直列入力抵抗 RIN_SER で構成される外部入力ネットワークを示します。

TRF1305C1 外部抵抗ネットワークによるゲイン調整図 8-5 外部抵抗ネットワークによるゲイン調整

表 8-1に、100Ω の差動ソース インピーダンス用の抵抗構成を示します。

表 8-1 RS = 100Ω の抵抗表
TRF1305C1
電力ゲイン (dB) RIN_SH (Ω) RIN_SER (Ω)
5 1000 25
4 434 30
3 288 36
2 222 42
1 184 49
0 160 57

抵抗アッテネータでは dB 対 dB のノイズ指数の劣化が発生するため、外付けの抵抗減衰ネットワークは小さなゲイン調整のためにのみ使用してください。全体のゲインを達成するため、減衰を最小限に抑える必要があるアンプ バージョンを使用します。