JAJSXE8 October   2025 DRV8311-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 SPI のタイミング要件
    7. 6.7 SPI セカンダリ デバイス モードのタイミング
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  出力ステージ
      2. 7.3.2  制御モード
        1. 7.3.2.1 6x PWM モード (DRV8311S-Q1 および DRV8311H-Q1 バリアントのみ)
        2. 7.3.2.2 3x PWM モード (DRV8311S-Q1 および DRV8311H-Q1 バリアントのみ)
        3. 7.3.2.3 PWM 生成モード (DRV8311S-Q1 および DRV8311P-Q1 バリアント)
      3. 7.3.3  デバイス インターフェイス モード
        1. 7.3.3.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
        2. 7.3.3.2 ハードウェア インターフェイス
      4. 7.3.4  AVDD リニア電圧レギュレータ
      5. 7.3.5  チャージ ポンプ
      6. 7.3.6  スルー レート制御
      7. 7.3.7  クロス導通 (デッド タイム)
      8. 7.3.8  伝搬遅延
      9. 7.3.9  ピン配置図
        1. 7.3.9.1 ロジック レベル入力ピン (内部プルダウン)
        2. 7.3.9.2 ロジック レベル入力ピン (内部プルアップ)
        3. 7.3.9.3 オープン ドレイン ピン
        4. 7.3.9.4 プッシュプル ピン
        5. 7.3.9.5 4 レベル入力ピン
      10. 7.3.10 電流センス アンプ
        1. 7.3.10.1 電流センス アンプの動作
        2. 7.3.10.2 電流センス アンプ オフセットの補正
      11. 7.3.11 保護
        1. 7.3.11.1 VM 電源低電圧ロックアウト (NPOR)
        2. 7.3.11.2 低電圧保護 (UVP)
        3. 7.3.11.3 過電流保護 (OCP)
          1. 7.3.11.3.1 OCP ラッチ シャットダウン (OCP_MODE = 010b)
          2. 7.3.11.3.2 OCP 自動リトライ (OCP_MODE = 000b または 001b)
          3. 7.3.11.3.3 OCP 通知のみ (OCP_MODE = 011b)
          4. 7.3.11.3.4 OCP 無効 (OCP_MODE = 111b)
        4. 7.3.11.4 過熱保護
          1. 7.3.11.4.1 過熱警告 (OTW)
          2. 7.3.11.4.2 サーマル シャットダウン (OTSD)
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 機能モード
        1. 7.4.1.1 スリープ モード
        2. 7.4.1.2 動作モード
        3. 7.4.1.3 フォルト リセット (CLR_FLT または nSLEEP リセット パルス)
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 プログラミング
        1. 7.5.1.1 SPI および tSPI フォーマット
  9. 8 DRV8311-Q1 のレジスタ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 三相ブラシレス DC モーター制御
        1. 9.2.1.1 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.1.1 モーター電圧
        2. 9.2.1.2 ドライバの伝搬遅延時間とデッド タイム
        3. 9.2.1.3 遅延補償
        4. 9.2.1.4 電流センシングと出力フィルタリング
        5. 9.2.1.5 アプリケーション曲線
    3. 9.3 三相ブラシレス DC tSPI モーター制御
      1. 9.3.1 詳細な設計手順
    4. 9.4 他のアプリケーション
    5. 9.5 電源に関する推奨事項
      1. 9.5.1 バルク コンデンサ
    6. 9.6 レイアウト
      1. 9.6.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.6.2 レイアウト例
      3. 9.6.3 熱に関する注意事項
        1. 9.6.3.1 消費電力と接合部温度の概算
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 サポート・リソース
    2. 10.2 商標
    3. 10.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 10.4 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

9.2.1.2 ドライバの伝搬遅延時間とデッド タイム

伝搬遅延は、(MCU デッド タイムが加わる場合は先に変化した方の) 入力ロジックエッジ INHx と INLx の変化から、ハーフブリッジ出力電圧 (OUTx) が変化するまでの時間として定義されます。ドライバの伝搬遅延 (tPD) とデッド タイム (tdead) は、標準値と最大値で規定されていますが、最小値は規定されていません。これは、同期スイッチング時に OUTx ピンの電流の向きによって、伝搬遅延が標準値よりも短くなる場合があるためです。内部の dV/dt カップリングを回避するため、ハイサイドまたはローサイドの内部 MOSFET の立ち上がりが遅くなることで、ドライバの伝搬遅延時間とデッド タイムが標準値よりも長くなることがあります。

入力 PWM および出力構成における伝搬遅延時間とデッド タイムの違いに関する詳細や例については、『内蔵 MOSFET ドライバの遅延時間とデッド タイム』を参照してください。

マイクロコントローラの PWM 出力によるデッド タイムは、DRV8311-Q1 の内部シュートスルー保護に加える追加の安全策として利用できます。DRV8311-Q1 は、内部ロジックにより、デッド タイムの長さに応じてマイコン側のデッド タイムとドライバ側のデッド タイムのどちらを優先するかを決定します。

マイコンのデッド タイムが DRV8311-Q1 ドライバのデッド タイムよりも短い場合、ドライバが補償を行い、DRV8311-Q1 で規定された値の実際の出力デッド タイムとなるようにします。逆に、マイコンが挿入するデッド タイムがドライバのデッド タイムより長い場合は、DRV8311-Q1 は マイコンのデッドタイムに従ってタイミングを調整します。

同期入力 (INHx および INLx)、OUTx の電流方向、マイコンのデッド タイムに対する DRV8311-Q1 の遅延時間の概要を　表 9-2　に示しています。

表 9-2 ロジック入力と出力電流の方向に依存する DRV8311-Q1 の遅延時間の概要
OUTx 電流方向 INHx INLx 伝搬遅延 (tPD) デッド タイム (tdead) 挿入されたマイコンのデッド タイム (tdead(MCU))
tdead(MCU) < tdead tdead(MCU) > tdead
OUTx からの 立ち上がり 立ち下がり 標準値 標準値 出力デッド タイム = tdead 出力デッドタイム = tdead(MCU)
立ち下がり 立ち上がり 標準値より短い 標準値より短い 出力デッド タイム < tdead 出力デッド タイム < tdead(MCU)
OUTx への 立ち上がり 立ち下がり 標準値より短い 標準値より短い 出力デッド タイム < tdead 出力デッド タイム < tdead(MCU)
立ち下がり 立ち上がり 標準値 標準値 出力デッド タイム = tdead 出力デッドタイム = tdead(MCU)