DRV8300U is 100V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300UD generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.
The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (125V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.
| Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Neueste englische Version herunterladen | Datum |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Datenblatt | DRV8300U: 100V Three-Phase BLDC Gate Driver datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 24.06.2025 |
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| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
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| VQFN (RGE) | 24 | Ultra Librarian |
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