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CSD17577Q3A

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6.4 mOhm

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Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.4 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 13 QGD (typ) (nC) 2.8 QGS (typ) (nC) 5.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 83 ID - package limited (A) 35 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.4 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 13 QGD (typ) (nC) 2.8 QGS (typ) (nC) 5.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 83 ID - package limited (A) 35 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Package
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Package

This 30 V, 4.0 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in power conversion applications.

This 30 V, 4.0 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in power conversion applications.

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