The LMG365xR070 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 100V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R070 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R070 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R070 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.
| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Hoja de datos | LMG365xR070 650V 70 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Protection datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 1/12/2025 | |
| Product overview | HVDC QFN-Packaged GaN Power Devices | PDF | HTML | 31/03/2026 |
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