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Amplificadores operacionales de alta velocidad (GBW ≥ 50 MHz)

OPA607-Q1

ACTIVO

Amplificador operacional CMOS, 50 MHz, baja potencia, ganancia de 6 V/V estable, salida de carril a

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OPA607-Q1

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Detalles del producto

Architecture FET / CMOS Input, Voltage FB Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 GBW (typ) (MHz) 50 BW at Acl (MHz) 10 Acl, min spec gain (V/V) 6 Slew rate (typ) (V/µs) 24 Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 3.8 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 5.1 Iq per channel (typ) (mA) 0.9 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.6 Rail-to-rail In to V-, Out Features Decompensated Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 CMRR (typ) (dB) 100 Input bias current (max) (pA) 10 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.3 Iout (typ) (mA) 60 2nd harmonic (dBc) -105 3rd harmonic (dBc) -95 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 0.02
Architecture FET / CMOS Input, Voltage FB Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 GBW (typ) (MHz) 50 BW at Acl (MHz) 10 Acl, min spec gain (V/V) 6 Slew rate (typ) (V/µs) 24 Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 3.8 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 5.1 Iq per channel (typ) (mA) 0.9 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.6 Rail-to-rail In to V-, Out Features Decompensated Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 CMRR (typ) (dB) 100 Input bias current (max) (pA) 10 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.3 Iout (typ) (mA) 60 2nd harmonic (dBc) -105 3rd harmonic (dBc) -95 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 0.02
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm)
  • Qualified for automotive applications
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
  • Gain bandwidth product (GBW): 50 MHz
  • Quiescent current: 900 µA (typical)
  • Input offset drift: 1.5 µV/°C (maximum)
  • Offset voltage: 120 µV (typical)
  • Input bias current: 10 pA (maximum)
  • Rail-to-rail output (RRO)
  • Supply range : 2.2 V to 5.5 V
  • Qualified for automotive applications
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
  • Gain bandwidth product (GBW): 50 MHz
  • Quiescent current: 900 µA (typical)
  • Input offset drift: 1.5 µV/°C (maximum)
  • Offset voltage: 120 µV (typical)
  • Input bias current: 10 pA (maximum)
  • Rail-to-rail output (RRO)
  • Supply range : 2.2 V to 5.5 V

The OPA607-Q1 and OPA2607-Q1 devices are decompensated, minimum gain of 6 V/V stable, general-purpose CMOS operational amplifiers with low noise of 3.8 nV/√ Hz and a GBW of 50 MHz. The low voltage offset drift (dVOS/dT) and wide bandwidth of the OPAx607-Q1 devices make them attractive for low cost general-purpose applications like low side current sensing and TIA (transipedance amplifier). The high-impedance CMOS inputs make the OPAx607-Q1 devices ideal amplifiers to interface with sensors with high output impedance (for example, piezoelectric transducers).

The rail-to-rail output (RRO) of the OPAx607-Q1 devices can swing up to 8 mV from the supply rails, maximizing dynamic range.

The OPAx607-Q1 is optimized for low supply voltage operation as low as 2.2 V (±1.1 V) and up to 5.5 V (±2.75 V), and is specified over the temperature range of –40°C to +125°C.

The OPA607-Q1 and OPA2607-Q1 devices are decompensated, minimum gain of 6 V/V stable, general-purpose CMOS operational amplifiers with low noise of 3.8 nV/√ Hz and a GBW of 50 MHz. The low voltage offset drift (dVOS/dT) and wide bandwidth of the OPAx607-Q1 devices make them attractive for low cost general-purpose applications like low side current sensing and TIA (transipedance amplifier). The high-impedance CMOS inputs make the OPAx607-Q1 devices ideal amplifiers to interface with sensors with high output impedance (for example, piezoelectric transducers).

The rail-to-rail output (RRO) of the OPAx607-Q1 devices can swing up to 8 mV from the supply rails, maximizing dynamic range.

The OPAx607-Q1 is optimized for low supply voltage operation as low as 2.2 V (±1.1 V) and up to 5.5 V (±2.75 V), and is specified over the temperature range of –40°C to +125°C.
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Diseño y desarrollo

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