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SN74CB3Q3257

ACTIVO

Interruptor de bus FET de uso general de 4 canales y 3.3 V, 2:1 (SPDT)

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SN74CB3Q3257

ACTIVO
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Detalles del producto

Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 3.5 CON (typ) (pF) 10.5 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 3.5 CON (typ) (pF) 10.5 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 16 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V Tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat on-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron= 4Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0- to 5V Switching with 3.3V VCC
    • 0- to 3.3V Switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 3.5pF typical)
  • Fast switching frequency (f OE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.7mA typical)
  • VCC Operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0- to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL or 5V and 3.3V CMOS outputs
  • Ioff Supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA Per JESD 78, class II
  • ESD Performance tested per JESD 22
    • 2000V Human body model (A114-B, class II)
    • 1000V Charged-device model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating (1)

(1)For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families application report.
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V Tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat on-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron= 4Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0- to 5V Switching with 3.3V VCC
    • 0- to 3.3V Switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 3.5pF typical)
  • Fast switching frequency (f OE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.7mA typical)
  • VCC Operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0- to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL or 5V and 3.3V CMOS outputs
  • Ioff Supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA Per JESD 78, class II
  • ESD Performance tested per JESD 22
    • 2000V Human body model (A114-B, class II)
    • 1000V Charged-device model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating (1)

(1)For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families application report.

The SN74CB3Q3257 device is a high-bandwidth FET bus switch using a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron).

The SN74CB3Q3257 device is a high-bandwidth FET bus switch using a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron).
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 16 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 16 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
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  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
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