Herramienta de cálculo
TPS50601A-SP
Convertidor reductor síncrono QMLV reforzado contra la radiación, entrada de 3 V a 7 V, 6 A
Hoja de datos
TPS50601A-SP
- 5962-10221:
- Radiation hardened up to TID 100 krad(Si)
- ELDRS free 100 krad(Si) – 10 mrad(Si)/s
- Single lhup (SEL) Immune to
LET = 75 MeV-cm2/mg - SEB and SEGR immune to 75 MeV-cm2/mg, SOA Curve Available
- SET/SEFI Cross-section plot available
- peak efficiency: 96.6% (VO = 3.3 V)
- Integrated 58-mΩ/50-mΩ MOSFETs
- Power rail: 3 to 7 V on VIN
- 6-A Maximum output current
- Flexible switching frequency options:
- 100-kHz to 1-MHz Adjustable internal oscillator
- External sync capability: 100 kHz to 1 MHz
- Sync pin can be configured as a 500-kHz output for master/slave applications
- 0.804-V ±1.5% Voltage reference overtemperature, radiation, and line and load regulation
- Monotonic start-up into prebiased outputs
- Adjustable soft start through external capacitor
- Input enable and power-good output for power sequencing
- Power good output monitor for undervoltage and overvoltage
- Adjustable input undervoltage lockout (UVLO)
- 20-Pin Ultra-small, thermally-enhanced ceramic flatpack package (hkh) for space applications
The TPS50601A-SP is a radiation hardened, 7-V, 6-A synchronous step-down converter, which is optimized for small designs through high efficiency and integrating the high-side and low-side MOSFETs. Further space savings are achieved through current mode control, which reduces component count, and a high switching frequency, reducing the inductor’s footprint. The devices are offered in an ultra small, thermally enhanced 20-pin ceramic flatpack package.
The output voltage startup ramp is controlled by the SS/TR pin which allows operation as either a stand alone power supply or in tracking situations. Power sequencing is also possible by correctly configuring the enable and the open drain power good pins. In addition, the TPS50601A-SP can be configured in master-slave mode to provide up to 12-A of output current.
Cycle-by-cycle current limiting on the high-side FET protects the device in overload situations and is enhanced by a low-side sourcing current limit which prevents current runaway. There is also a low-side sinking current limit which turns off the low-side MOSFET to prevent excessive reverse current. Thermal shutdown disables the part when die temperature exceeds thermal shutdown temperature.
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Modelo de simulación
TPS50601A-SP PSpice Transient Model (Rev. C)
SLVMCL3C.ZIP (289 KB) - PSpice Model
Modelo de simulación
TPS50601A-SP TINA-TI Average Reference Design
SLVMCM4.TSC (584 KB) - TINA-TI Reference Design
Modelo de simulación
TPS50601A-SP TINA-TI Average Spice Model
SLVMCM3.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
Modelo de simulación
TPS50601A-SP TINA-TI Startup Transient Reference Design
SLVMCN2.TSC (855 KB) - TINA-TI Reference Design
Modelo de simulación
TPS50601A-SP TINA-TI Steady State Transient Reference Design
SLVMCN1.TSC (855 KB) - TINA-TI Reference Design
Modelo de simulación
TPS50601A-SP TINA-TI Transient Spice Model
SLVMCN0.ZIP (14 KB) - TINA-TI Spice Model
Modelo de simulación
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SLVMDC2.ZIP (43 KB) - PSpice Model
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Información incluida:
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
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