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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
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TPS7H6101-SEP

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Etapa de potencia GaN 200 V 10 A tolerante a la radiación con controlador integrado

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TPS7H6101-SEP

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Detalles del producto

VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
UNKNOWN (NPR) 64 See data sheet
  • Radiation performance:
    • Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
    • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V e-mode GaN FET half bridge
    • 15mΩRDS(ON) (typ)
    • 100kHz to 2MHz operation
  • LGA package:
    • Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
    • Integrated gate drive resistors
    • Low common source inductance packaging
    • Electrically isolated high-side and low-side
  • Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
    • Low propagation delay
    • Two operational modes
      • Single PWM input with adjustable dead time
      • Two independent inputs
    • Programmable dead time control
    • Selectable input interlock protection in independent input mode
    • 5V gate drive supply for robust FET operation
  • Radiation performance:
    • Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
    • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V e-mode GaN FET half bridge
    • 15mΩRDS(ON) (typ)
    • 100kHz to 2MHz operation
  • LGA package:
    • Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
    • Integrated gate drive resistors
    • Low common source inductance packaging
    • Electrically isolated high-side and low-side
  • Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
    • Low propagation delay
    • Two operational modes
      • Single PWM input with adjustable dead time
      • Two independent inputs
    • Programmable dead time control
    • Selectable input interlock protection in independent input mode
    • 5V gate drive supply for robust FET operation

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver; integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver; integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet TPS7H6101-SEP 200V, 10A GaN Half Bridge Power Stage datasheet PDF | HTML 14 may 2025
* Radiation & reliability report TPS7H6101-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 28 ene 2026
Certificate TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 16 abr 2025
Selection guide TI Space Products (Rev. K) 04 abr 2025
Application note Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 15 sep 2022
E-book Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 21 may 2019

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

TPS7H6101EVM — Módulo de evaluación TPS7H6101-SEP

El TPS7H6101EVM utiliza un carril de tensión de entrada en el J13 para alimentar el PVIN de 100 V. De forma predeterminada, el dispositivo ejecuta el modo PWM y el modo IIM se puede usar con cambios mínimos. Al ingresar una forma de onda de 0 V a 5 V en el J8, el TPS7H6101-SP funcionará como (...)
Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Modelo de simulación

TPS7H6101-SP PSpice Transient Model

SNOM820.ZIP (66 KB) - PSpice Model
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
UNKNOWN (NPR) 64 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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