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TXS0101

ACTIVO

Conmutador de nivel de tensión bidirec., 1 bit p/ aplic. de drenaje abierto y pulsación-tracción

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TXS0101

ACTIVO
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Detalles del producto

Bits (#) 1 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.2 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO Features Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Prop delay (ns) 165 Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.025 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 1 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.2 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO Features Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Prop delay (ns) 165 Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.025 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZP) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1 USON (DRY) 6 1.45 mm² 1.45 x 1
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22:
    • A Port:
      • 2500V Human-Body Model (A114-B)
      • 200V Machine Model (A115-A)
      • 1500V Charged-Device Model (C101)
    • B port:
      • 8kV Human-Body Model (A114-B)
      • 200V Machine Model (A115-A)
      • 1500V Charged-Device Model (C101)
  • No direction-control signal needed
  • Maximum data rates:
    • 24Mbps (push pull)
    • 2Mbps (open drain)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ package
  • 1.65V to 3.6V on A port and 2.3V to 5.5V on B port ( VCCA ≤ VCCB)
  • VCC isolation feature – if either VCC input is at GND, both ports are in the high-impedance state
  • No power-supply sequencing required – either VCCA or VCCB can be ramped first
  • Ioff supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22:
    • A Port:
      • 2500V Human-Body Model (A114-B)
      • 200V Machine Model (A115-A)
      • 1500V Charged-Device Model (C101)
    • B port:
      • 8kV Human-Body Model (A114-B)
      • 200V Machine Model (A115-A)
      • 1500V Charged-Device Model (C101)
  • No direction-control signal needed
  • Maximum data rates:
    • 24Mbps (push pull)
    • 2Mbps (open drain)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ package
  • 1.65V to 3.6V on A port and 2.3V to 5.5V on B port ( VCCA ≤ VCCB)
  • VCC isolation feature – if either VCC input is at GND, both ports are in the high-impedance state
  • No power-supply sequencing required – either VCCA or VCCB can be ramped first
  • Ioff supports partial-power-down mode operation

This one-bit non-inverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track VCCA. VCCA accepts any supply voltage from 1.65V to 3.6V. VCCA must be less than or equal to VCCB . The B port is designed to track VCCB. VCCB accepts any supply voltage from 2.3V to 5.5V. This allows for low voltage bidirectional translation between any of the 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V voltage nodes.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

To put the device in the high-impedance state during power up or power down, tie OE to GND through a pull-down resistor; the current-sourcing capability of the driver determines the minimum value of the resistor.

This one-bit non-inverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track VCCA. VCCA accepts any supply voltage from 1.65V to 3.6V. VCCA must be less than or equal to VCCB . The B port is designed to track VCCB. VCCB accepts any supply voltage from 2.3V to 5.5V. This allows for low voltage bidirectional translation between any of the 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V voltage nodes.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

To put the device in the high-impedance state during power up or power down, tie OE to GND through a pull-down resistor; the current-sourcing capability of the driver determines the minimum value of the resistor.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Modelo de simulación

HSPICE Model for TXS0101

SCEJ264.ZIP (96 KB) - HSpice Model
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Modelo de simulación

TXS0101 IBIS Model

SCEM527.ZIP (24 KB) - IBIS Model
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YZP) 6 Ultra Librarian
SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian
SOT-5X3 (DRL) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
USON (DRY) 6 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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