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UCC27211

ACTIVO

Controlador de puerta de medio puente de 4 A y 120 V con UVLO de 8 V y entradas TTL

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UCC27211A ACTIVO Controlador de puerta de medio puente de 4 A y 120 V con UVLO de 8 V y manipulación de tensión negat Improved robustness

Detalles del producto

Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -12 Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -12 Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRM) 8 16 mm² 4 x 4 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • Drives Two N-Channel MOSFETs in High-Side
    and Low-Side Configuration With Independent
    Inputs
  • Maximum Boot Voltage 120-V DC
  • 4-A Sink, 4-A Source Output Currents
  • 0.9-Ω Pullup and Pulldown Resistance
  • Input Pins Can Tolerate –10 V to 20 V and Are
    Independent of Supply Voltage Range
  • TTL or Pseudo-CMOS Compatible Input Versions
  • 8-V to 17-V VDD Operating Range, (20-V Absolute
    Maximum)
  • 7.2-ns Rise and 5.5-ns Fall Time With 1000-pF
    Load
  • Fast Propagation Delay Times (18 ns Typical)
  • 2-ns Delay Matching
  • Symmetrical Undervoltage Lockout for High-Side
    and Low-Side Driver
  • All Industry Standard Packages Available (SOIC-8,
    PowerPAD™ SOIC-8, 4-mm × 4-mm SON-8
    and 4-mm × 4-mm SON-10)
  • Specified from –40 to 140 °C
  • Drives Two N-Channel MOSFETs in High-Side
    and Low-Side Configuration With Independent
    Inputs
  • Maximum Boot Voltage 120-V DC
  • 4-A Sink, 4-A Source Output Currents
  • 0.9-Ω Pullup and Pulldown Resistance
  • Input Pins Can Tolerate –10 V to 20 V and Are
    Independent of Supply Voltage Range
  • TTL or Pseudo-CMOS Compatible Input Versions
  • 8-V to 17-V VDD Operating Range, (20-V Absolute
    Maximum)
  • 7.2-ns Rise and 5.5-ns Fall Time With 1000-pF
    Load
  • Fast Propagation Delay Times (18 ns Typical)
  • 2-ns Delay Matching
  • Symmetrical Undervoltage Lockout for High-Side
    and Low-Side Driver
  • All Industry Standard Packages Available (SOIC-8,
    PowerPAD™ SOIC-8, 4-mm × 4-mm SON-8
    and 4-mm × 4-mm SON-10)
  • Specified from –40 to 140 °C

The UCC27210 and UCC27211 drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers, but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4-A source and 4-A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9 Ω, thereby allowing for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the Miller Plateau of the MOSFET. The input structure is now able to directly handle –10 VDC, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a maximum rating of 20-V.

The switching node (HS pin) of the UCC2721x can handle –18 V maximum which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27210 (Pseudo-CMOS inputs) and UCC27211 (TTL inputs) have increased hysteresis allowing for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity.

The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 2 ns between the turnon and turnoff of each other.

An on-chip 120-V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers providing symmetric turnon and turnoff behavior and forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.

Both devices are offered in 8-pin SOIC (D), PowerPAD SOIC-8 (DDA), 4-mm × 4-mm SON-8 (DRM) and SON-10 (DPR) packages.

The UCC27210 and UCC27211 drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers, but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4-A source and 4-A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9 Ω, thereby allowing for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the Miller Plateau of the MOSFET. The input structure is now able to directly handle –10 VDC, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a maximum rating of 20-V.

The switching node (HS pin) of the UCC2721x can handle –18 V maximum which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27210 (Pseudo-CMOS inputs) and UCC27211 (TTL inputs) have increased hysteresis allowing for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity.

The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 2 ns between the turnon and turnoff of each other.

An on-chip 120-V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers providing symmetric turnon and turnoff behavior and forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.

Both devices are offered in 8-pin SOIC (D), PowerPAD SOIC-8 (DDA), 4-mm × 4-mm SON-8 (DRM) and SON-10 (DPR) packages.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Paquete Pasadores Descargar
HSOIC (DDA) 8 Ver opciones
SOIC (D) 8 Ver opciones
VSON (DRM) 8 Ver opciones
WSON (DPR) 10 Ver opciones

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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Soporte y capacitación

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