パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (D) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) |
| パッケージ数量 | キャリア 95 | TUBE |
LM5111 の特徴
- 2つのNチャネルMOSFETを独立して駆動
- CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
- シンク5A、ソース3Aの電流能力
- 2つのチャネルを並列接続して駆動電流を2倍にすることが可能
- 互いに独立した入力(TTL互換)
- 短い伝搬時間(標準値25ns)
- 短い立ち上がり/立ち下がり時間: 2nF負荷で14nsおよび12nsの立ち上がりと立ち下がり時間
- デュアル非反転、デュアル反転、および組み合わせ構成に対応
- 電源レールの低電圧誤動作防止保護(UVLO)
- LM5111-4のUVLOはOUT_A経由でPFETを、OUT_B経由でNFETを駆動するよう構成
- 業界標準のゲート・ドライバとピン互換
LM5111 に関する概要
LM5111デュアル・ゲート・ドライバは、業界標準のゲート・ドライバと比較して、ピーク出力電流および効率が向上しています。複合出力ドライバの各段では、MOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から5Aを超えるピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動が低減されます。低電圧誤動作防止保護も搭載されています。入力および出力を互いに接続して2つのドライバを並列で動作させると、電流駆動能力を2倍にできます。このデバイスはSOICパッケージ、または熱的に強化されたMSOP-PowerPADパッケージで供給されます。