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シングル、5.5V、6.2kHz、350nA 静止電流、1.6V 電源電圧 (最小)、RRIO (レール ツー レール入出力) オペアンプ

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品。
TLV8541 アクティブ シングル、3.6V、8kHz、超低静止電流 (550nA)、RRIO (レール ツー レール入出力) オペアンプ Higher GBW (0.008 MHz), faster slew rate (0.0035 V/us), higher output current (30 mA)

製品詳細

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.6 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 0.0062 Slew rate (typ) (V/µs) 0.0024 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1 Iq per channel (typ) (mA) 0.000351 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 255 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.4 Features EMI Hardened Input bias current (max) (pA) 1 CMRR (typ) (dB) 102 Iout (typ) (A) 0.022 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.0004 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.000351 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.003 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.003
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.6 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 0.0062 Slew rate (typ) (V/µs) 0.0024 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1 Iq per channel (typ) (mA) 0.000351 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 255 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.4 Features EMI Hardened Input bias current (max) (pA) 1 CMRR (typ) (dB) 102 Iout (typ) (A) 0.022 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.0004 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.000351 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.003 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.003
SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² (2 mm × 2.1 mm) PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm)
  • VS = 5V (特に記載のない限り標準値):
    • 電源電流 (VS = 0.3V 時):400nA (最大値)
    • 動作電圧範囲:1.6V~5.5V
    • 低い TCVOS:3.5µV/°C (最大値)
    • VOS:1mV (最大値)
    • 入力バイアス電流:40fA
    • PSRR:109dB
    • CMRR:102dB
    • 開ループ ゲイン:132dB
    • ゲイン帯域幅積:6.2kHz
    • スルーレート:2.4V/ms
    • 入力電圧ノイズ (f = 100Hz 時):255nV/√Hz
    • 温度範囲:-40℃~+125℃
  • VS = 5V (特に記載のない限り標準値):
    • 電源電流 (VS = 0.3V 時):400nA (最大値)
    • 動作電圧範囲:1.6V~5.5V
    • 低い TCVOS:3.5µV/°C (最大値)
    • VOS:1mV (最大値)
    • 入力バイアス電流:40fA
    • PSRR:109dB
    • CMRR:102dB
    • 開ループ ゲイン:132dB
    • ゲイン帯域幅積:6.2kHz
    • スルーレート:2.4V/ms
    • 入力電圧ノイズ (f = 100Hz 時):255nV/√Hz
    • 温度範囲:-40℃~+125℃

LPV521 は、非常に長いバッテリ寿命を必要とするアプリケーション向けに設計されたシングル ナノパワー 552nW アンプです。1.6V~5.5V の動作電圧範囲と標準 351nA の消費電流の組み合わせにより、RFID リーダーやリモート センサなどのナノパワー アプリケーションに最適です。入力同相モード電圧はレール全体にわたって 0.1V であり、TCVOS が保証され、レール ツー レールの電圧出力性能を備えています。LPV521 の CMOS 入力段は注意深く設計され、標準で 40fA という低い IBIAS 電流によって競合製品に差を付けています。この低い入力電流により、メグオーム抵抗や高インピーダンスのフォトダイオード、充電センスなどの状況で生じる、IBIAS や IOS の誤差が大きく減少します。LPV521 は PowerWise ファミリの製品であり、電力対性能比が非常に優れています。

広い入力同相モード電圧範囲、保証された 1mV の VOS および 3.5µV/℃の TCVOS により、ハイサイドとローサイド両方の電流センシングで正確で安定した測定を実現します。

また、EMI 保護が組み込まれ、携帯電話や他の RFID リーダーからの不要な RF 信号による影響を低減しています。

LPV521 は、5 ピン SC70 および 8 ピン PDIP パッケージで供給されます。

LPV521 は、非常に長いバッテリ寿命を必要とするアプリケーション向けに設計されたシングル ナノパワー 552nW アンプです。1.6V~5.5V の動作電圧範囲と標準 351nA の消費電流の組み合わせにより、RFID リーダーやリモート センサなどのナノパワー アプリケーションに最適です。入力同相モード電圧はレール全体にわたって 0.1V であり、TCVOS が保証され、レール ツー レールの電圧出力性能を備えています。LPV521 の CMOS 入力段は注意深く設計され、標準で 40fA という低い IBIAS 電流によって競合製品に差を付けています。この低い入力電流により、メグオーム抵抗や高インピーダンスのフォトダイオード、充電センスなどの状況で生じる、IBIAS や IOS の誤差が大きく減少します。LPV521 は PowerWise ファミリの製品であり、電力対性能比が非常に優れています。

広い入力同相モード電圧範囲、保証された 1mV の VOS および 3.5µV/℃の TCVOS により、ハイサイドとローサイド両方の電流センシングで正確で安定した測定を実現します。

また、EMI 保護が組み込まれ、携帯電話や他の RFID リーダーからの不要な RF 信号による影響を低減しています。

LPV521 は、5 ピン SC70 および 8 ピン PDIP パッケージで供給されます。

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技術資料

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* データシート LPV521 ナノパワー、1.8V、RRIO、CMOS 入力オペアンプ データシート (Rev. E 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.E) PDF | HTML 2024/07/12
e-Book(PDF) The Signal - オペアンプ設計ブログ集 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2018/03/23
アプリケーション概要 Simplifying Environmental Measurements in Power Conscious Factory and Building A (Rev. A) 2018/01/09
アプリケーション・ノート Advantages of using Nanopower Zero Drift Amp for Mobile Phone Battery Voltage Mo (Rev. A) 2017/12/21

設計と開発

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評価ボード

DIP-ADAPTER-EVM — DIP アダプタの評価基板

DIP-Adapter-EVM は、オペアンプの迅速なプロトタイプ製作とテストを可能にする評価基板です。小型の表面実装 IC とのインターフェイスを迅速、容易、低コストで実現します。付属の Samtec 端子ストリップか、回路への直接配線により、サポートされているオペアンプを接続できます。

DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています:

  • D と U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3)
  • DCK(SC70-6、SC70-5)
  • DRL(SOT563-6)
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
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入手不可
評価ボード

DIYAMP-EVM — ユニバーサル DIY アンプ回路の評価基板

DIYAMP-EVM は、エンジニアと DIY ユーザーにアンプ回路を提供する評価基板 (EVM) ファミリであり、設計コンセプトの迅速な評価とシミュレーションの検証を実現します。3 つの業界標準パッケージ (SC70、SOT-23、SOIC) で供給されており、シングル / デュアル電源向けに、アンプ、フィルタ、安定性補償、コンパレータの各構成など、12 の一般的なアンプ構成が可能です。

DIYAMP-EVM は、迅速 簡単なプロトタイプ製作を可能にします。また、一般的な 0805 または 0603 (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
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SNOM024A.ZIP (100 KB) - PSpice モデル
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シミュレーション・モデル

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SNOM784 (18 KB) - TINA-TI リファレンス・デザイン
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SNOM785.ZIP (7 KB) - TINA-TI Spice モデル
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TIDA-00759 — 低消費電力の PIR モーションディテクタ (Bluetooth Smart 対応、バッテリー寿命 10 年のコイン電池搭載) リファレンスデザイン

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リファレンス・デザイン

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このリファレンス デザインはバッテリ駆動スマート流量計のバッテリ / システム状態監視向けに革新的なソリューションを提供します。  バッテリ監視サブシステムは、非常に高精度なエネルギー測定とバッテリ寿命を予測する健全性 (SOH) 評価を提供します。システム監視サブシステムは、バッテリ寿命を著しく低下させる過電流状態に対して保護機能を提供します。  このリファレンス デザインで使用される技術は、バッテリ駆動メーターの実効寿命の延長と、公共事業者の総所有コストの最適化を可能にします。
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOT-SC70 (DCK) 5 Ultra Librarian
PDIP (P) 8 Ultra Librarian

購入と品質

サポートとトレーニング

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