SN74CB3Q3305
- High-bandwidth data path (up to 500MHz)
- 5V tolerant I/Os with device powered up or powered down
- Low and flat ON-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron = 3Ω typical)
- Supports input voltage beyond supply on data I/O ports
- 0 to 5V switching with 3.3V VCC
- 0 to 3.3V switching with 2.5V VCC
- Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
- Low input or output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 3.5pF typical)
- Fast switching frequency (fOE = 20MHz maximum)
- Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
- Low power consumption (ICC = 0.25mA typical)
- VCC operating range from 2.3V to 3.6V
- Data I/Os support 0 to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V)
- Control inputs can be driven by TTL or 5V/3.3V CMOS outputs
- Ioff supports partial-power-down mode operation
- Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, Class II
The SN74CB3Q3305 device is a high-bandwidth FET bus switch using a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports switching input voltage beyond the supply on the data input/output (I/O) ports. The device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus. Specifically designed to support high-bandwidth applications, the SN74CB3Q3305 device provides an optimized interface option designed for broadband communications, networking, and data-intensive computing systems.
This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry prevents damaging current backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE must be tied to GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | SN74CB3Q3305 Dual FET Bus Switch 2.5V or 3.3V Low-Voltage High-Bandwidth Bus Switch データシート (Rev. E) | PDF | HTML | 2026/09/21 | ||
| アプリケーション・ノート | テキサス インスツルメンツの信号スイッチの選定 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/06/29 | ||
| アプリケーション・ノート | Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) | PDF | HTML | 2021/12/01 | |||
| アプリケーション概要 | Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) | PDF | HTML | 2021/01/06 |
設計と開発
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DIP-ADAPTER-EVM — DIP アダプタの評価基板
DIP-Adapter-EVM は、オペアンプの迅速なプロトタイプ製作とテストを可能にする評価基板です。小型の表面実装 IC とのインターフェイスを迅速、容易、低コストで実現します。付属の Samtec 端子ストリップか、回路への直接配線により、サポートされているオペアンプを接続できます。
DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています：
- D と U（SOIC-8）
- PW（TSSOP-8）
- DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
- DBV（SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3）
- DCK（SC70-6、SC70-5）
- DRL（SOT563-6）
LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダへのアダプタ
EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 8 | Ultra Librarian |
| VSSOP (DCU) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。