SN74CBT3257C
- Undershoot Protection for Off-Isolation on A and B Ports Up To .2 V
- Bidirectional Data Flow, With Near-Zero Propagation Delay
- Low ON-State Resistance (ron) Characteristics (ron = 3 Typical)
- Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion (Cio(OFF) = 5.5 pF Typical)
- Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
- Low Power Consumption (ICC = 3 µA Max)
- VCC Operating Range From 4 V to 5.5 V
- Data I/Os Support 0 to 5-V Signaling Levels (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
- Control Inputs Can be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
- Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
- Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
- ESD Performance Tested Per JESD 22
- 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
- 1000-V Charged-Device Model (C101)
- Supports I2C Bus Expansion
- Supports Both Digital and Analog Applications: USB Interface, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating
The SN74CBT3257C is a high-speed TTL-compatible FET multiplexer/demultiplexer with low ON-state resistance (ron), allowing for minimal propagation delay. Active Undershoot-Protection Circuitry on the A and B ports of the SN74CBT3257C provides protection for undershoot up to 2 V by sensing an undershoot event and ensuring that the switch remains in the proper OFF state.
The SN74CBT3257C is a 4-bit 1-of-2 multiplexer/demultiplexer with a single output-enable (OE\) input. The select (S) input controls the data path of the multiplexer/demultiplexer. When OE\ is low, the multiplexer/demultiplexer is enabled and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE\ is high, the multiplexer/demultiplexer is disabled and a high-impedance state exists between the A and B ports.
This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE\ should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.
技術資料
設計および開発
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LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ
EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。
LEADLESS-ADAPTER1 — TI の 6、8、10、12、16、20 ピン・リードレス・パッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
SSOP (DB) | 16 | Ultra Librarian |
SSOP (DBQ) | 16 | Ultra Librarian |
TSSOP (PW) | 16 | Ultra Librarian |
VQFN (RGY) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。