SN74CBTD3306C
- Undershoot Protection for Off-Isolation on A and B Ports Up To –2 V
- Integrated Diode to VCC Provides 5-V Input Down To 3.3-V Output Level Shift
- Bidirectional Data Flow, With Near-Zero Propagation Delay
- Low ON-State Resistance (ron) Characteristics (ron = 3 Typical)
- Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion (Cio(OFF) = 5 pF Typical)
- Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
- VCC Operating Range From 4.5 V to 5.5 V
- Data I/Os Support 0 to 5-V Signaling Levels (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
- Control Inputs Can be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
- Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
- Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
- ESD Performance Tested Per JESD 22
- 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
- 1000-V Charged-Device Model (C101)
- Supports Both Digital and Analog Applications: USB Interface, Memory Interleaving, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating
The SN74CBTD3306C is a high-speed TTL-compatible FET bus switch with low ON-state resistance (ron), allowing for minimal propagation delay. This device features an integrated diode in series with VCC to provide level shifting for 5-V input down to 3.3-V output levels. Active Undershoot-Protection Circuitry on the A and B ports of the SN74CBTD3306C provides protection for undershoot up to 2 V by sensing an undershoot event and ensuring that the switch remains in the proper OFF state.
The SN74CBTD3306C is organized as two 1-bit bus switches with separate output-enable (1OE\, 2OE\) inputs. It can be used as two 1-bit bus switches or as one 2-bit bus switch. When OE\ is low, the associated 1-bit bus switch is ON, and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE\ is high, the associated 1-bit bus switch is OFF, and a high-impedance state exists between the A and B ports.
This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down.
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE\ should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.
お客様が関心を持ちそうな類似品
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
技術資料
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
DIP-ADAPTER-EVM — DIP アダプタの評価基板
DIP-Adapter-EVM は、オペアンプの迅速なプロトタイプ製作とテストを可能にする評価基板です。小型の表面実装 IC とのインターフェイスを迅速、容易、低コストで実現します。付属の Samtec 端子ストリップか、回路への直接配線により、サポートされているオペアンプを接続できます。
DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています:
- D と U(SOIC-8)
- PW(TSSOP-8)
- DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
- DBV(SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3)
- DCK(SC70-6、SC70-5)
- DRL(SOT563-6)
LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ
EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
TSSOP (PW) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。