データシート
SN74CBTLV3257-EP
- 管理されたベースライン
- 単一の組み立て施設
- 単一のテスト施設
- 単一の製造施設
- 拡張温度範囲: -55°C～125°C
- 拡張 DMS (Diminishing Manufacturing Sources) サポート
- 拡張製品変更通知
- 認定系譜 (1)
- 2 つのポート間を 5Ωスイッチで接続
- データ I/O ポートのレール・ツー・レール・スイッチング
- Ioff により部分的パワーダウン・モードでの動作をサポート
- JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
- JESD 22 を超える ESD 保護
- 人体モデルで 2000V (A114-A)
- マシン・モデルで 200V (A115-A)
(1)JEDEC および業界標準に従った部品認定により、拡張温度範囲にわたって高信頼性の動作を保証します。これには、HAST (Highly Accelerated Stress Test) またはバイアス付き 85/85、温度サイクル、高圧またはバイアスなし HAST、電気移動法、結合部金属間化合物の寿命、複合金型の寿命が含まれますが、これらに限定されません。これらの認定テストは、この部品を規定の性能および環境の制限外で使用することを正当化すると見なされるものではありません。
SN74CBTLV3257 は、4 ビット、1:2 の高速 FET マルチプレクサおよびデマルチプレクサです。スイッチのオン状態の抵抗が低いため、最小の伝播遅延で接続が可能です。
選択(S)入力により、データフローが制御されます。FETマルチプレクサ/デマルチプレクサは、出力イネーブル(OE)入力がHIGHのとき無効になります。
このデバイスは、Ioffを使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用に完全に動作が規定されています。Ioff 機能により、電源オフ時に損傷を引き起こすような電流がデバイスに逆流しないことが保証されます。デバイスは、電源オフ時は絶縁されています。
電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OEはプルアップ抵抗経由でVCCに接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決定されます。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | SN74CBTLV3257-EP 低電圧 4 ビット 1:2 FET マルチプレクサ / デマルチプレクサ データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2019/08/26 |
| * | VID | SN74CBTLV3257-EP VID V6208615 | 2016/06/21 | |||
| アプリケーション・ノート | テキサス インスツルメンツの信号スイッチの選定 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/06/29 | ||
| アプリケーション・ノート | Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) | PDF | HTML | 2021/12/01 |
設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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