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TLC27L2

アクティブ

デュアル、16V、85kHz、低消費電力 (10μA/チャネル)、入力電圧から V (V) までの電圧範囲に対応するオペアンプ

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open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスにアップグレード機能を搭載した、ドロップ・イン代替製品。
TLV9142 アクティブ デュアル、18V、125kHz、マイクロパワー (7μA)、低入力バイアス電流 (0.5pA) RRIO オペアンプ Rail-to-rail I/O, improved DC precision and better bandwidth to IQ ratio

製品詳細

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 16 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 0.085 Slew rate (typ) (V/µs) 0.03 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 0.01 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 68 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.1 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 94 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.03 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.2
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 16 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 0.085 Slew rate (typ) (V/µs) 0.03 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 0.01 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 68 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.1 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 94 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.03 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.2
SOP (PS) 8 48.36 mm² (6.2 mm × 7.8 mm) PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) TSSOP (PW) 8 19.2 mm² (3 mm × 6.4 mm)
  • 入力オフセット電圧ドリフト:最初の 30 日を含め、標準で 0.1µV/月
  • 規定温度範囲全体にわたって広い電源電圧範囲:
    • 0°C ~ 70°C3V ~ 16V
    • -40°C ~ +85°C4V ~ 16V
    • -55°C ~ +125°C4V ~ 16V
  • 単一電源動作
  • 負のレールを下回る同相入力電圧範囲(接尾辞 C、接尾辞 I のタイプ)
  • 超低消費電力:25°C(代表値)、VDD = 5V で 95µW
  • 出力電圧範囲に負のレールを含む
  • 高い入力インピーダンス:1012Ω (代表値)
  • ESD 保護回路
  • 小型外形パッケージのオプションもテープ アンド リール形式で利用可能
  • 設計段階で組み込まれたラッチアップ耐性
  • 入力オフセット電圧ドリフト:最初の 30 日を含め、標準で 0.1µV/月
  • 規定温度範囲全体にわたって広い電源電圧範囲:
    • 0°C ~ 70°C3V ~ 16V
    • -40°C ~ +85°C4V ~ 16V
    • -55°C ~ +125°C4V ~ 16V
  • 単一電源動作
  • 負のレールを下回る同相入力電圧範囲(接尾辞 C、接尾辞 I のタイプ)
  • 超低消費電力:25°C(代表値)、VDD = 5V で 95µW
  • 出力電圧範囲に負のレールを含む
  • 高い入力インピーダンス:1012Ω (代表値)
  • ESD 保護回路
  • 小型外形パッケージのオプションもテープ アンド リール形式で利用可能
  • 設計段階で組み込まれたラッチアップ耐性

TLC27L2x および TLC27L7 デュアル オペ アンプは、幅広い入力オフセット電圧グレードと、低オフセット電圧ドリフト、高入力インピーダンス、超低消費電力、高いゲインを兼ね備えています。これらのデバイスは、テキサス・インスツルメンツのシリコンゲート LinCMOS™ 技術を採用しており、従来の金属ゲート プロセスでの安定性をはるかに上回るオフセット電圧安定性を実現しています。

低コストの TLC27L2(10mV)から高精度の TLC27L7(1000µV)まで、4 つのオフセット電圧グレード(接尾辞 C および I タイプ)が利用可能です。これらのデバイスは、入力インピーダンスが非常に高く、バイアス電流も小さく、同相除去比と電源電圧除去比が優れており、消費電力も低いため、最新の設計や既存の設計のアップグレードに最適です。

一般に、バイポーラ テクノロジーに関連する多くの機能を LinCMOS オペ アンプで利用でき、バイポーラ テクノロジーに伴う電力による悪影響はありません。TLC27Lx を使用すると、トランスデューサ インターフェイス、アナログ計算、アンプ ブロック、アクティブ フィルタ、信号バッファなどの一般的なアプリケーションはすべて簡単に設計できます。また、これらのデバイスは低電圧および単一電源で動作するため、リモートおよびアクセス不可能なバッテリ駆動アプリケーションに最適です。共通モード入力電圧範囲には負の電源電圧が含まれます。

TLC27Lx には、MIL-STD-883C、手法 3015.2 でテストされたように、最大 2000V の電圧で機能的障害を防止する内部 ESD 保護回路が組み込まれています。これらのデバイスを取り扱う際には注意が必要です。ESD にさらされると、デバイスのパラメータ性能が低下する可能性があります。

接尾辞 C デバイスは 0℃ ~ 70℃の動作温度範囲で特性評価されており、接尾辞 I デバイスは -40℃ ~ +85℃、接尾辞 M デバイスは軍事用温度範囲の -55℃ ~ +125℃の全範囲で動作可能です。

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低コストの TLC27L2(10mV)から高精度の TLC27L7(1000µV)まで、4 つのオフセット電圧グレード(接尾辞 C および I タイプ)が利用可能です。これらのデバイスは、入力インピーダンスが非常に高く、バイアス電流も小さく、同相除去比と電源電圧除去比が優れており、消費電力も低いため、最新の設計や既存の設計のアップグレードに最適です。

一般に、バイポーラ テクノロジーに関連する多くの機能を LinCMOS オペ アンプで利用でき、バイポーラ テクノロジーに伴う電力による悪影響はありません。TLC27Lx を使用すると、トランスデューサ インターフェイス、アナログ計算、アンプ ブロック、アクティブ フィルタ、信号バッファなどの一般的なアプリケーションはすべて簡単に設計できます。また、これらのデバイスは低電圧および単一電源で動作するため、リモートおよびアクセス不可能なバッテリ駆動アプリケーションに最適です。共通モード入力電圧範囲には負の電源電圧が含まれます。

TLC27Lx には、MIL-STD-883C、手法 3015.2 でテストされたように、最大 2000V の電圧で機能的障害を防止する内部 ESD 保護回路が組み込まれています。これらのデバイスを取り扱う際には注意が必要です。ESD にさらされると、デバイスのパラメータ性能が低下する可能性があります。

接尾辞 C デバイスは 0℃ ~ 70℃の動作温度範囲で特性評価されており、接尾辞 I デバイスは -40℃ ~ +85℃、接尾辞 M デバイスは軍事用温度範囲の -55℃ ~ +125℃の全範囲で動作可能です。

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技術資料

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* データシート TLC27Lx 高精度、デュアル オペアンプ データシート (Rev. E 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.E) PDF | HTML 2025/10/06
* エラッタ Errata for TLC27L2/2A/2B/L7 Data Sheet SLOS052D: Error in Figure 44 2011/03/18
e-Book(PDF) The Signal - オペアンプ設計ブログ集 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2018/03/23
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  • D (SOIC-8 と SOIC-14)
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  • DGK (VSSOP-8)
  • (...)
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DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています:

  • D と U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3)
  • DCK(SC70-6、SC70-5)
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SLOJ096.ZIP (3 KB) - PSpice モデル
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOP (PS) 8 Ultra Librarian
PDIP (P) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 8 Ultra Librarian

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