TPSI2140-Q1
- 車載アプリケーション用に認定済み
- AEC-Q100 グレード 1:-40~125℃、T A
- アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
- システム・レベルの誘電体耐性試験 (Hi-Pot) を含む、過電圧条件下での信頼性を考慮した設計および認定
- I AVA = 5 秒パルスで 2mA、60 秒パルスで 1mA
- 1200V のスタンドオフ電圧
- R ON = 130Ω (T J = 25℃)
- T ON、T OFF < 700µs
- システム・レベルの誘電体耐性試験 (Hi-Pot) を含む、過電圧条件下での信頼性を考慮した設計および認定
- Low 1 次側消費電流
- オン状態電流:9mA
- オフ状態電流:3.5µA
- 機能安全対応
- ISO 26262 および IEC 61508 システムの設計を支援する ドキュメントを使用可能
- 堅牢な絶縁バリア:
- 1000V RMS/1500V DC の動作電圧で 26 年以上の予測寿命
- 絶縁定格、V ISO、最大 3750V RMS/5300V DC
- ピーク・サージ、V IOSM、最大 5000V
- CMTI:±100V/ns (標準値)
- 熱性能を向上させるワイドピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
- 沿面距離と空間距離:8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
- 沿面距離と空間距離: 6mm 以上 (スイッチ端子間)
- 安全関連認証
- DIN VDE V 0884-11:2017-01 (計画中)
- UL 1577 部品認定プログラム (計画中)
TPSI2140-Q1 は、 高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。 TPSI2140-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。
デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐ フェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 5V~20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN ピンを 2.1V~20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD ピンと EN ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動することができます。 TPSI2140-Q1 のすべての制御構成では、フォトリレー・ソリューションで一般的に必要とされる抵抗やローサイド・スイッチなどの追加の外部コンポーネントは必要ありません。
2 次側は双方向 MOSFET で構成されており、 S1 から S2 へのスタンドオフ電圧は、 ±1.2kV となっています。 TPSI2140-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部コンポーネントを必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。
技術資料
設計および開発
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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SOIC (DWQ) | 11 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。