パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 HTSSOP (PWP) | 14 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 105 |
| パッケージ数量 | キャリア 90 | TUBE |
UCC27223 の特徴
- ボディ･ダイオードの導通損失及び逆回復損失を最 小限に抑えることによる最大効率の実現が可能
- シングルエンドPWM入力信号による同期整流方式 降圧動作
- 12Vまたは5Vの入力電圧動作
- 12Vのバス･バイアス電圧の使用による3.3V入力電圧 動作
- ハイサイド/ローサイド±3Aデュアル･ドライバ
- 6.5Vのゲート駆動レギュレータ内蔵
- 大電流出力が可能な±3AのTrueDrive™ゲート駆動
- 動作状態変化に柔軟に自動対応
- 放熱特性に優れた14ピンHTSSOP PowePAD™ パッケージによるボード面積及び接合部温度の削減 が可能
- APPLICATIONS
- TPS40K等と組み合わせた多相コンバータ
- プロセッサ電源、汎用コンピュータ、テレコム、 データコム･アプリケーション用3.3V/5V/12V入力 電圧の非絶縁型DC/DCコンバータ
Gate Drive、PowerPADは、テキサス･インスツルメンツの商標です。
UCC27223 に関する概要
UCC27223は、高効率、低出力電圧設計向けの高速同期整流 方式の降圧型ドライバです。Predictive Gate Drive™（PGD）制 御技術を用いて、ドライバは同期整流MOSFETのダイオード の導通損失及び逆回復損失を低減します。
UCC27223には、出力の動作を制御するイネーブル端子があ ります。また、最初のPWM入力パルスが入力されるまで出力 を“L”レベルにしておくラッチ機能も内蔵されています。デ バイスのRDS（on）も高周波動作用に対応できるように最小限 に抑えられます。
閉ループのフィードバック･システムがボディ･ダイオードの 導通を検出し、導通期間を最小にするようデッドタイム遅延を 調整します。このことにより、温度や負荷に依存する遅延や 種々のMOSFET条件に合わせて調整しながらボディ･ダイオー ドの導通をほぼなくすことができます。ナノ秒レベルの精密な ゲート･タイミングにより同期整流型MOSFETのボディ･ダイ オードの逆回復時間が低減し、メイン（ハイサイド）MOSFET での逆回復損失が減少します。また、ローサイドMOSFETの 接合部温度が低くなるため製品の信頼性が向上します。また、 消費電力が最小となるため、より高いスイッチング周波数も使 用することができ、部品寸法が小さくできます。
UCC27223 のパッケージは放熱特性に優れた1 4 ピン
PowePAD™で、
JCは2°C/Wです。