パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (D) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,500 | LARGE T&R |
UCC27712 の特徴
- ハイサイドおよびローサイド構成
- 出力インターロックおよび150nsのデッドタイムを備えたデュアル入力
- 最大620Vまで完全動作、HBピンの絶対最大定格700V
- VDD推奨範囲: 10V～20V
- ピーク出力電流: シンク2.8A、ソース1.8A
- dv/dt耐性: 50V/ns
- HSピンで-11Vまでロジック動作
- 入力における負の電圧許容範囲: -5V
- 大きな負の過渡安全動作領域
- 両方のチャネルでのUVLO保護
- 短い伝搬遅延(標準値100ns)
- 遅延マッチング(標準値12ns)
- ブートストラップ動作用に設計されたフローティング・チャネル
- 低い静止電流
- TTLおよびCMOS互換の入力
- 業界標準のSOIC-8パッケージ
- すべてのパラメータは-40℃～+125℃の温度範囲で規定
UCC27712 に関する概要
UCC27712は620Vのハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバで、ソース1.8A、シンク2.8Aの電流能力を持ち、パワーMOSFETやIGBTを駆動するよう設計されています。
推奨VDD動作電圧は、IGBTでは10V～20V、パワーMOSFETでは10V～17Vです。
UCC27712には保護機能が組み込まれており、入力がオープンの状態、または最小入力パルス幅の仕様が満たされていない場合、出力はLOWに保持されます。インターロックおよびデッドタイム機能により、両方の出力が同時にオンになることが防止されます。さらに、このデバイスはの広い範囲のバイアス電源電圧を受け付け、VDDおよびHBの両方のバイアス電源についてUVLO保護を行います。
このデバイスは、TIの最先端の高耐圧デバイス・テクノロジで開発され、堅牢な駆動能力、非常に優れたノイズおよび過渡耐性が特長です。これには、入力における大きな負の電圧の許容、高いdV/dt許容、スイッチ・ノード(HS)における広い負の過渡安全動作領域(NTSOA)、インターロックが含まれます。
このデバイスは、1つのグランド基準チャネル(LO)と1つのフローティング・チャネル(HO)で構成され、ブートストラップまたは絶縁電源で動作するよう設計されています。このデバイスは、伝搬遅延が短く、両方のチャネル間で遅延マッチングが非常に優れています。UCC27712で、各チャネルはそれぞれHIおよびLI入力ピンによりコントロールされます。