CSD18533Q5A

활성

60V, N 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 SON 5mm x 6mm, 5.9mOhm

제품 상세 정보

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 5.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.5 VGSTH typ (typ) (V) 1.9 QG (typ) (nC) 29 QGD (typ) (nC) 5.4 QGS (typ) (nC) 6.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 103 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 5.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.5 VGSTH typ (typ) (V) 1.9 QG (typ) (nC) 29 QGD (typ) (nC) 5.4 QGS (typ) (nC) 6.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 103 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Logic Level
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Logic Level
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

This 4.7 mΩ, 60 V, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 4.7 mΩ, 60 V, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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기술 자료

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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
Selection guide Power Management Guide 2018 (Rev. R) 2018/06/25
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설계 및 개발

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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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지원 및 교육

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