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CSD88539ND

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60V, N채널 NexFET ™ 전원 MOSFET, 듀얼 SO-8, 28mOhm

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제품 상세 정보

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Ultra-Low Q g and Q gd
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra-Low Q g and Q gd
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low-current motor control applications.

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* Data sheet CSD88539ND Dual 60 V N-ChannelNexFETPower MOSFETs datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2023/12/07

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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