제품 상세 정보

Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REN) 68 144 mm² 12 x 12
  • Three-phase PWM motor driver with integrated 650V enhancement mode GaNFETs
  • Up to 450V operating voltage
    • 650V absolute maximum voltage
  • High output current capability: 5A Peak current
  • Low conduction loss: Low on-state resistance per GaN FET: 205mΩ RDS(ON) at TA = 25°C
  • Low switching loss: Zero reverse recovery, low output capacitance, slew rate control
  • Low distortion: Ultra low propagation delay < 135ns, Ultra low adaptive dead time < 200ns
  • Integrated gate drives with slew rate control of phase node voltage
    • Slew rate options from 5V/ns to 40V/ns
  • 500ns minimum low side on time support with integrated fast bootstrap GaN rectifier
  • Low-side GaN FET open source pins to support 1- or 2- or 3-shunt current sensing
  • Supports up to 60kHz hard switching
  • Integrates a 11MHz, 15V/µs amplifier for single shunt current sensing
  • Supports 3.3V and 5V logic inputs
  • Integrated BRAKE functionality to turn on all low side GaN FETs together
  • Integrated temperature sensor
  • >1.6mm clearance between OUTx and OUTx, VM and OUTx and OUTx and PGND.
  • 2mm clearance between VM and PGND
  • Integrated protection features
    • GVDD and bootstrap under voltage lockout
    • Over current protection for each GaN FET
    • Over temperature protection
    • PWM input dead time
    • Current limit protection using integrated comparators for all three phases
    • Fault condition indication pin (HV_nFAULT)
  • Three-phase PWM motor driver with integrated 650V enhancement mode GaNFETs
  • Up to 450V operating voltage
    • 650V absolute maximum voltage
  • High output current capability: 5A Peak current
  • Low conduction loss: Low on-state resistance per GaN FET: 205mΩ RDS(ON) at TA = 25°C
  • Low switching loss: Zero reverse recovery, low output capacitance, slew rate control
  • Low distortion: Ultra low propagation delay < 135ns, Ultra low adaptive dead time < 200ns
  • Integrated gate drives with slew rate control of phase node voltage
    • Slew rate options from 5V/ns to 40V/ns
  • 500ns minimum low side on time support with integrated fast bootstrap GaN rectifier
  • Low-side GaN FET open source pins to support 1- or 2- or 3-shunt current sensing
  • Supports up to 60kHz hard switching
  • Integrates a 11MHz, 15V/µs amplifier for single shunt current sensing
  • Supports 3.3V and 5V logic inputs
  • Integrated BRAKE functionality to turn on all low side GaN FETs together
  • Integrated temperature sensor
  • >1.6mm clearance between OUTx and OUTx, VM and OUTx and OUTx and PGND.
  • 2mm clearance between VM and PGND
  • Integrated protection features
    • GVDD and bootstrap under voltage lockout
    • Over current protection for each GaN FET
    • Over temperature protection
    • PWM input dead time
    • Current limit protection using integrated comparators for all three phases
    • Fault condition indication pin (HV_nFAULT)

The DRV7308 is a three-phase intelligent power module (IPM) that consists of 205mΩ, 650V e-mode Gallium-Nitride (GaN) for driving three-phase BLDC/PMSM motors up to 450V DC rails. The applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal (six step) current control of BLDC motors. The device helps to achieve more than 99% efficiency for a 3-phase modulated, FOC-driven, 250W motor drive application in a QFN 12mm x 12mm package at 20kHz switching frequency, eliminating the need for heat sink. The device helps to achieve ultra quiet operation, with very low dead time. The integrated bootstrap rectifier with bootstrap current limit, eliminates the need for an external bootstrap diode.

The DRV7308 is a three-phase intelligent power module (IPM) that consists of 205mΩ, 650V e-mode Gallium-Nitride (GaN) for driving three-phase BLDC/PMSM motors up to 450V DC rails. The applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal (six step) current control of BLDC motors. The device helps to achieve more than 99% efficiency for a 3-phase modulated, FOC-driven, 250W motor drive application in a QFN 12mm x 12mm package at 20kHz switching frequency, eliminating the need for heat sink. The device helps to achieve ultra quiet operation, with very low dead time. The integrated bootstrap rectifier with bootstrap current limit, eliminates the need for an external bootstrap diode.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet DRV7308 Three Phase 650V, 5A, GaN Intelligent Power Module datasheet PDF | HTML 2024/05/29
Technical article Achieving household energy efficiency and cost savings with GaN-based motor system designs PDF | HTML 2024/06/07
White paper How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance PDF | HTML 2024/06/06
EVM User's guide DRV7308 Evaluation Module User's Guide 2024/05/21

설계 및 개발

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평가 보드

DRV7308EVM — DRV7308 평가 모듈

DRV7308EVM은 DRV7308 모터 드라이버를 철저하게 평가할 수 있도록 설계된 모듈입니다. 이 장치는 모터 드라이버 애플리케이션을 위한 250W, 450V 통합 트리플 GaN(질화 갈륨) FET 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. DRV7308EVM는 3상 브러시리스 DC 모터를 직접 구동할 수 있는 3개의 650V E-모드 GaN FET 하프 브리지를 제공합니다.


이 키트에는 C2000™ LAUNCHXL-F2800137 LaunchPad™가 필요하며 DRV7308 드라이버를 작동 및 모니터링하는 데 사용됩니다. PWM, (...)

사용 설명서: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-010273 — 250W 모터 인버터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 주요 가전제품 또는 유사한 애플리케이션을 위한 250W 모터 드라이브로, 히트 싱크가 없는 GaN IPM DRV7308 기반 고효율 모터 인버터를 보여주며, UCC28911로 낮은 대기 전력 설계를 시연합니다. 이 레퍼런스 설계에서는 FAST™ 소프트웨어 인코더 또는 eSMO를 사용하는 3상 PMSM용 무센서 FOC 제어를 구현하는 방법을 보여줍니다. 모듈식 디자인을 사용하는 이 레퍼런스 설계는 동일한 마더보드에서 C2000™ MCU 및 MSPM0 시리즈 마이크로컨트롤러 부속 보드를 모두 지원합니다. 이 (...)
Design guide: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (REN) 68 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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