계산 툴
BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver
Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
DRV8353M
- 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
-
Extended TA operation -55 °C to 125 °C
- Optional triple low-side current shunt amplifiers
-
- Smart gate drive architecture
- Adjustable slew rate control for EMI performance
- VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
- 50-mA to 1-A peak source current
- 100-mA to 2-A peak sink current
- dV/dt mitigation through strong pulldown
- Integrated gate driver power supplies
- High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
- Low-side linear regulator
- Integrated triple current shunt amplifiers
- Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
- Bidirectional or unidirectional support
- 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
- Supports 120° sensored operation
- SPI or hardware interface available
- Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
- Integrated protection features
- VM undervoltage lockout (UVLO)
- Gate drive supply undervoltage (GDUV)
- MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
- MOSFET shoot-through prevention
- Gate driver fault (GDF)
- Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
- Fault condition indicator (nFAULT)
The DRV8353M family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. These applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal current control of BLDC motors. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes and a buck regulator to power the gate driver or external controller.
The DRV8353M uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events
Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.
기술 자료
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1개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | DRV8353M 100-V Three-Phase Smart Gate Driver datasheet | PDF | HTML | 2020/03/31 |
설계 및 개발
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평가 보드
DRV8353RH-EVM — DRV8353RH EVM(평가 모듈), 3상 브러시리스 DC 스마트 게이트 드라이버
DRV8353RH-EVM은 DRV8353RH 게이트 드라이버 및 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET을 기반으로 하는 15A, 3상 브러시리스 DC 구동계입니다.
이 EVM(평가 모듈)에는 개별 DC 버스 및 위상 전압 감지와 개별 저압측 전류 션트 증폭기가 있어 센서리스 BLDC 알고리즘에 이상적입니다. 이 모듈은 통합 0.35A 스텝 다운 벅 레귤레이터로 MCU 3.3V 전원을 공급합니다. 구동계에는 특정 저항 값으로 구성된 쉽게 구성 가능한 하드웨어 인터페이스를 통해 단락, 열, 슛스루 및 저전압 조건에 대한 (...)
사용 설명서: PDF
평가 보드
DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 평가모듈(EVM), 3상 브러시리스 DC 스마트 게이트 드라이버
DRV8353RS-EVM은 DRV8353RS 게이트 드라이버 및 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET을 기반으로 하는 15A, 3상 브러시리스 DC 구동계입니다.
이 평가 모듈(EVM)에는 개별 DC 버스 및 위상 전압 감지와 개별 저압측 전류 션트 증폭기가 있어 센서리스 BLDC 알고리즘에 이상적입니다. 이 모듈은 통합 0.35A 스텝 다운 벅 레귤레이터로 MCU 3.3V 전원을 공급합니다. 이 구동계에는 구성 가능한 SPI를 통한 단락, 열, 슛스루 및 저전압 상태에 대한 보호 기능 및 오류용 핀과 함께 (...)
사용 설명서: PDF
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| WQFN (RTA) | 40 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치