DRV8350F

활성

102V 최대 3상 기능 안전 품질-관리 스마트 게이트 드라이버

제품 상세 정보

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
WQFN (RTV) 32 25 mm² 5 x 5
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Functional Safety Quality-Managed
    • Documentation available to aid IEC 61800-5-2 functional safety system design
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Functional Safety Quality-Managed
    • Documentation available to aid IEC 61800-5-2 functional safety system design
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)

The DRV835xF family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes.

The DRV835xF uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.

The DRV835xF family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes.

The DRV835xF uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.

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유형 직함 날짜
* Data sheet DRV835xF 100-V Three-Phase Smart Gate Driver datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2021/08/27
Application note System Design Considerations for High-Power Motor Driver Applications PDF | HTML 2021/06/22
Functional safety information Design Smaller Safe Torque Off (STO) Systems Using 3-Phase Smart Gate Drivers PDF | HTML 2021/03/04
Analog Design Journal Implementing STO functionality w/ diagnostic and monitoring for ind. motor drive 2019/09/30

설계 및 개발

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평가 보드

DRV8350H-EVM — DRV8350H 3상 스마트 게이트 드라이버 평가 모듈

The DRV8350H-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8350H gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ power blocks. 

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as an external, individual low-side current shunt amplifier, making this evaluation module ideal for (...)

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TI.com에서 구매 불가
평가 보드

DRV8350S-EVM — DRV8350S 3상 스마트 게이트 드라이버 평가 모듈

The DRV8350S-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8350S gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ power blocks. 

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as an external, individual low-side current shunt amplifier, making this evaluation module ideal for (...)

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
계산 툴

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
BLDC 드라이버
DRV8320 65V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8320R 벅 레귤레이터를 갖춘 65V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8323 전류 션트 증폭기를 지원하는 65V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8323R 벅 레귤레이터 및 전류 션트 증폭기를 지원하는 65V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8329 단일 전류 감지 증폭기를 지원하는 60V 3상 게이트 드라이버 DRV8329-Q1 단일 전류 감지 증폭기를 지원하는 차량용 60V 3상 게이트 드라이버 DRV8334 정확한 전류 감지를 지원하는 60V 1000mA~2,000mA 3상 게이트 드라이버 DRV8340-Q1 오토모티브 12V~24V 배터리 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8343-Q1 오토모티브 12V~24V 배터리 3상 스마트 게이트 드라이버 전류 션트 증폭기 DRV8350 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8350F 102V 최대 3상 기능 안전 품질-관리 스마트 게이트 드라이버 DRV8350R 벅 레귤레이터를 갖춘 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8353 전류 션트 증폭기를 갖춘 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8353F 102V 최대 3상 기능 안전 품질-관리 스마트 게이트 드라이버 3x CSA DRV8353M 전류 션트 증폭기 및 확장된 온도를 지원하는 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8353R 벅 레귤레이터 및 전류 션트 증폭기를 지원하는 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WQFN (RTV) 32 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

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