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TXG8122-Q1

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I2C 신호를 위한 차량용, 2비트 양방향 80V 접지 레벨 변환기

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TXG8122-Q1

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제품 상세 정보

Rating Automotive Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Topology Open drain Applications GPIO, I2C, SMBus Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/µs) 500 Output drive capability (max) (mA) 50 Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
Rating Automotive Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Topology Open drain Applications GPIO, I2C, SMBus Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/µs) 500 Output drive capability (max) (mA) 50 Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
  • Bidirectional I2C compatible communication
  • Support for Standard-mode, Fast-mode, and Fast-mode Plus I2C operation
  • Supports DV shifts up to ±80V
  • Data rate up to 1MHz
  • Side 1 Supply Range: 3V to 5.5V
  • Side 2 Supply Range: 2.25V to 5.5V
  • Maximum capacitive load:
    • 80pF (Side 1) and 550pF (Side 2)
  • Open -drain outputs with current sink capability:
    • 3.5mA (Side 1) and 50mA (Side 2)
  • Low power consumption at 400kHz (typical):
    • ICC1 = 3.1mA, ICC2 = 0.7mA
  • Operating temperature from –40°C to +125°C
  • CMTI of 500V/µs
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22
    • 2000V human-body model
    • 500V charged-device model
  • Package options provided: SOIC (8D), WSON (8DSG), SOT-23 (8DDF)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
  • Bidirectional I2C compatible communication
  • Support for Standard-mode, Fast-mode, and Fast-mode Plus I2C operation
  • Supports DV shifts up to ±80V
  • Data rate up to 1MHz
  • Side 1 Supply Range: 3V to 5.5V
  • Side 2 Supply Range: 2.25V to 5.5V
  • Maximum capacitive load:
    • 80pF (Side 1) and 550pF (Side 2)
  • Open -drain outputs with current sink capability:
    • 3.5mA (Side 1) and 50mA (Side 2)
  • Low power consumption at 400kHz (typical):
    • ICC1 = 3.1mA, ICC2 = 0.7mA
  • Operating temperature from –40°C to +125°C
  • CMTI of 500V/µs
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22
    • 2000V human-body model
    • 500V charged-device model
  • Package options provided: SOIC (8D), WSON (8DSG), SOT-23 (8DDF)

The TXG8122-Q1 device is a dual bidirectional, non-galvanic based voltage and ground-level translator for I2C. This device supports two separate configurable power-supply rails. Side 1 is designed to track VCC1 which accepts any supply voltage from 3V to 5.5V. Side 2 is designed to track VCC2 which accepts any supply voltage from 2.25V to 5.5V. Compared to traditional level shifters, the TXG8122-Q1 can solve the challenges of voltage translation across different ground levels up to ±80V. Both GNDA or GNDB can have an offset ground as long as the difference between GNDA and GNDB remains -80V to +80V.

The Simplified Block Diagram shows a common use case where DC shift occurs between GNDA to GNDB due to parasitic resistance or capacitance. The TXG8122-Q1 is able to support I2C-based communication between systems that have different supply voltages and different ground references. The leakage between GNDA and GNDB is typically 50nA when VCC to GND is shorted.

The TXG8122-Q1 device is a dual bidirectional, non-galvanic based voltage and ground-level translator for I2C. This device supports two separate configurable power-supply rails. Side 1 is designed to track VCC1 which accepts any supply voltage from 3V to 5.5V. Side 2 is designed to track VCC2 which accepts any supply voltage from 2.25V to 5.5V. Compared to traditional level shifters, the TXG8122-Q1 can solve the challenges of voltage translation across different ground levels up to ±80V. Both GNDA or GNDB can have an offset ground as long as the difference between GNDA and GNDB remains -80V to +80V.

The Simplified Block Diagram shows a common use case where DC shift occurs between GNDA to GNDB due to parasitic resistance or capacitance. The TXG8122-Q1 is able to support I2C-based communication between systems that have different supply voltages and different ground references. The leakage between GNDA and GNDB is typically 50nA when VCC to GND is shorted.
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* Data sheet TXG8122-Q1 ± 80V Bidirectional Ground-Level Translator for I2C datasheet PDF | HTML 2025/06/06

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TXG-4CH-EVM — 4채널 접지 레벨 변환기용 TXG 평가 모듈(EVM)

TXG-4CH-EVM은 TXGx04x 4채널 접지 레벨 변환기 제품군을 평가하는 데 사용되는 평가 모듈(EVM)입니다. 이 EVM은 16핀 DBQ, 14핀 DYY 및 14핀 RUC를 포함한 여러 패키지 옵션을 지원합니다. 이 EVM에는 장치를 평가할 수 있는 여러 테스트 포인트와 연결 옵션이 있습니다.
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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