IGBT/SIC용 DESAT 및 내부 클램프를 지원하는 오토모티브 3.0kVrms, ±10A 1채널 절연 게이트 드라이버 Basic isolation, internal Miller clamp, DESAT protection, has no active short circuit or integrated analog-to-PWM sensor

UCC21736-Q1

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Number of channels

1

Isolation rating

Reinforced

Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)

5700

Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms)

2121

Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)

8000, 8400

Power switch

IGBT, SiCFET

Peak output current (A)

10

Features

Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output

Output VCC/VDD (max) (V)

33

Output VCC/VDD (min) (V)

13

Input supply voltage (min) (V)

3

Input supply voltage (max) (V)

5.5

Propagation delay time (µs)

0.09

Input threshold

CMOS

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Rating

Automotive

Bootstrap supply voltage (max) (V)

2121

Rise time (ns)

28

Fall time (ns)

24

Undervoltage lockout (typ) (V)

12

Number of channels

1

Isolation rating

Reinforced

Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)

5700

Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms)

2121

Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)

8000, 8400

Power switch

IGBT, SiCFET

Peak output current (A)

10

Features

Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output

Output VCC/VDD (max) (V)

33

Output VCC/VDD (min) (V)

13

Input supply voltage (min) (V)

3

Input supply voltage (max) (V)

5.5

Propagation delay time (µs)

0.09

Input threshold

CMOS

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Rating

Automotive

Bootstrap supply voltage (max) (V)

2121

Rise time (ns)

28

Fall time (ns)

24

Undervoltage lockout (typ) (V)

12

SOIC (DW)

16

106.09 mm² 10.3 x 10.3

5.7-kV_RMS single channel isolated gate driver
AEC-Q100 qualified for automotive applications
SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121 V_pk
33-V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
±10-A drive strength and split output
150-V/ns minimum CMTI
270-ns response time fast overcurrent protection
External active miller clamp
900-mA soft turn-off when fault happens
ASC input on isolated side to turn on power switch during system fault
Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
Fast enable/disable response on RST/EN
Reject <40-ns noise transient and pulse on input pins
12V VDD UVLO and -3V VEE UVLO with power good on RDY
Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5 V
130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
Operating junction temperature –40°C to 150°C

5.7-kV_RMS single channel isolated gate driver
AEC-Q100 qualified for automotive applications
SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121 V_pk
33-V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
±10-A drive strength and split output
150-V/ns minimum CMTI
270-ns response time fast overcurrent protection
External active miller clamp
900-mA soft turn-off when fault happens
ASC input on isolated side to turn on power switch during system fault
Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
Fast enable/disable response on RST/EN
Reject <40-ns noise transient and pulse on input pins
12V VDD UVLO and -3V VEE UVLO with power good on RDY
Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5 V
130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
Operating junction temperature –40°C to 150°C

The UCC21736-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. UCC21736-Q1 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO₂ capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kV_RMS working voltage, 12.8-kV_PK surge immunity with longer than 40 years isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew, and >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21736-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The ASC feature can be utilized to force ON power switch during system failure events, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.

The UCC21736-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. UCC21736-Q1 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO₂ capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kV_RMS working voltage, 12.8-kV_PK surge immunity with longer than 40 years isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew, and >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21736-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The ASC feature can be utilized to force ON power switch during system failure events, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.

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	유형	직함		날짜
*	Data sheet	UCC21736-Q1 10-A Source and Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection and High-CMTI datasheet (Rev. A)	PDF \| HTML	2020/05/06
	Certificate	VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S)		2024/02/29
	User guide	UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC		2023/09/01
	Technical article	Understanding functional safety for gate drivers and traction inverter systems	PDF \| HTML	2022/08/10
	Application brief	The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits	PDF \| HTML	2021/12/16
	Design guide	SiC/IGBT Isolated Gate Driver Reference Design With Thermal Diode and Sensing		2019/12/18

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21732QDWEVM-025 — SiC 및 IGBT 트랜지스터 및 전원 모듈용 구동 및 보호 평가 보드

The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)

사용 설명서: PDF

TI.com에서 구매할 수 없습니다

시뮬레이션 모델

UCC21736-Q1 Unencrypted PSpice Model

SLUM743.ZIP (180 KB) - PSpice Model

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계산 툴

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

지원되는 제품 및 하드웨어

제품

절연 게이트 드라이버

UCC21710-Q1 — IGBT/SiC용 과전류 보호 기능을 지원하는 오토모티브 5.7kVrms의 10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

UCC21732-Q1 — IGBT/FET용 2레벨 끄기 기능을 지원하는 오토모티브 5.7kVrms ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

UCC21736-Q1 — IGBT/SiC용 액티브 단락 회로를 지원하는 오토모티브 5.7kVrms의 ±10A 절연 단일 채널 게이트 드라이버

UCC21739-Q1 — IGBT/SiC용 절연 아날로그 감지를 지원하는 오토모티브 3kVrms, ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

UCC21750 — IGBT/SiCFET용 DESAT 및 내부 밀러 클램프를 지원하는 5.7kVrms ±10A, 단일 채널 절연 게이트 드라이버

UCC21750-Q1 — IGBT/SiC용 DESAT 및 내부 클램프를 지원하는 오토모티브 5.7kVrms, ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

UCC21759-Q1 — IGBT/SIC용 DESAT 및 내부 클램프를 지원하는 오토모티브 3.0kVrms, ±10A 1채널 절연 게이트 드라이버

다운로드

시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)

요청

레퍼런스 디자인

PMP23223 — 바이어스 공급 장치가 포함된 스마트 절연 게이트 드라이버 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에서는 UCC21732 게이트 드라이버와 UCC14xxx 시리즈 바이어스 공급 장치의 조합을 보여줍니다. 이 설계는 Wolfspeed SiC(실리콘 카바이드) FET( Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) FET(전계 효과 트랜지스터) 모듈 등 다양한 전원 스위치 구동에 사용할 수 있습니다. 이 레퍼런스 설계는 고압측 또는 저압측 드라이버 역할을 할 수도 있고, 정전 용량 모조 부하와 함께 테스트할 수도 있습니다.

UCC14240-Q1, UCC14141-Q1 및 UCC14341-Q1은 각각 다른 (...)

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패키지	핀	다운로드
SOIC (DW)	16	옵션 보기

TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

UCC21736-Q1

IGBT/SiC용 액티브 단락 회로를 지원하는 오토모티브 5.7kVrms의 ±10A 절연 단일 채널 게이트 드라이버

비교 대상 장치보다 업그레이드된 기능을 지원하는 즉각적 대체품

다른 핀 출력을 지원하지만 비교 대상 장치와 동일한 기능

UCC21736-Q1

제품 상세 정보

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설계 및 개발

UCC21732QDWEVM-025 — SiC 및 IGBT 트랜지스터 및 전원 모듈용 구동 및 보호 평가 보드

UCC21736-Q1 Unencrypted PSpice Model

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

지원되는 제품 및 하드웨어

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절연 게이트 드라이버

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

PMP23223 — 바이어스 공급 장치가 포함된 스마트 절연 게이트 드라이버 레퍼런스 설계

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TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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