產品詳細資料

Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 3.5 CON (typ) (pF) 10.5 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 3.5 CON (typ) (pF) 10.5 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 16 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V Tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat on-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron= 4Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0- to 5V Switching with 3.3V VCC
    • 0- to 3.3V Switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 3.5pF typical)
  • Fast switching frequency (f OE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.7mA typical)
  • VCC Operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0- to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL or 5V and 3.3V CMOS outputs
  • Ioff Supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA Per JESD 78, class II
  • ESD Performance tested per JESD 22
    • 2000V Human body model (A114-B, class II)
    • 1000V Charged-device model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating (1)

(1)For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families application report.

  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V Tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat on-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron= 4Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0- to 5V Switching with 3.3V VCC
    • 0- to 3.3V Switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 3.5pF typical)
  • Fast switching frequency (f OE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.7mA typical)
  • VCC Operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0- to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL or 5V and 3.3V CMOS outputs
  • Ioff Supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA Per JESD 78, class II
  • ESD Performance tested per JESD 22
    • 2000V Human body model (A114-B, class II)
    • 1000V Charged-device model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating (1)

(1)For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families application report.

The SN74CB3Q3257 device is a high-bandwidth FET bus switch using a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron).

The SN74CB3Q3257 device is a high-bandwidth FET bus switch using a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron).

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User guide Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
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設計與開發

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開發板

AM261-SOM-EVM — AM261x 控制系統模組評估模組

AM261-SOM-EVM 是德州儀器 Sitara™ AM261x 系列微控制器 (MCU) 的評估與開發電路板。該系統模組採用三個 120 針腳高速高密度連接器,非常適合初期評估與快速原型開發。使用 AM261-SOM-EVM 進行評估時,需搭配 XDS110ISO-EVM(需另行購買)。

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開發板

TAS2770EVM — 採用 QFN 封裝的 TAS2770EVM 單聲道、數位輸入、D 類、IV 感測音訊放大器評估模組

TAS2770EVM 為開發人員提供簡單易用的單聲道評估模組,可配置為立體聲解決方案及多通道解決方案。此為評估 TAS2770 立體聲與單聲道實現方案的強大工具套件,無論是否搭配 IV 感測功能皆適用。本套件提供評估 TAS2770 所需的一切資源。可透過連接 TAS2559YZEVM 來評估立體聲或單聲道喇叭防護解決方案,以提供喇叭防護演算法與處理。此演算法是使用 PPC3 控制及調整。TAS2559YZEVM 和 PPC3 附加元件不包含在內,必須單獨訂購。
使用指南: PDF
TI.com 無法提供
開發板

TAS2770EVM-STEREO — TAS2770 數位輸入、D 類、IV 感測音訊放大器立體聲道評估模組

TAS2770EVM-Stereo 評估模組為開發人員提供易於使用的模組,預先配置為立體聲解決方案。這是強大的工具套件,用於評估 TAS2770 的立體聲或單聲道實作,無論是否具有 IV 感測。本課程提供評估 TAS2770 做為傳統放大器所需的一切。可透過連接 TAS2559YZEVM 來評估立體聲或單聲道喇叭防護解決方案,以提供喇叭防護演算法與處理。此演算法是使用 PPC3 控制及調整。TAS2559YZEVM 和 PPC3 附加元件不包含在內,必須單獨訂購。
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介面轉接器

LEADED-ADAPTER1 — 適用於快速測試 TI 的 5、8、10、16 及 24 針腳引線封裝的表面貼裝至 DIP 接頭適配器

EVM-LEADED1 板可用於快速測試和搭建 TI 常見的有引腳封裝  此電路板具備板上配置,可將 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面黏著封裝轉換為 100mil DIP 排針。     

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HSPICE Model of SN74CB3Q3257

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模擬型號

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參考設計

TIDA-01572 — 數位輸入、D 類、IV 感測音訊放大器的立體聲評估模組參考設計

此參考設計提供高性能立體聲道音訊子系統,可在 PC 應用中使用。其以 4.5V 至 16V 的單電源供電運作,並搭載 TAS2770 這款數位輸入 D 類音訊放大器;此放大器可提供出色的雜訊和失真性能,並提供 WCSP 和 QFN 兩種封裝。該設計還包括 TL760M33TPS73618 這兩個低壓差固定電壓穩壓器,分別產生所需的 3.3V 和 1.8V 系統軌。此參考設計的多用途數位輸入介面可支援多種輸入格式,同時提供電壓與電流感測、供應電壓 (VBAT) 及溫度的輸出資料。此參考設計也包括多工處理,可將多個輸入來源連接至數位輸入。此外,TAS2770 整合了可追蹤 VBAT (...)
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 16 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 16 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題,請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

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