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TXB0106

現行

具自動方向感測和 +/-15kV ESD 保護的 6 位元雙向電壓位準移位器

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產品規格表

TXB0106

現行
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產品詳細資料

Technology family TXB Applications SPI Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 10 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family TXB Applications SPI Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 10 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5
  • 1.2 V to 3.6 V on A Port and 1.65 to 5.5 V on
    B Port (VCCA≤ VCCB)
  • VCC Isolation Feature – If Either VCC Input Is at
    GND, All Outputs Are in the High-Impedance
    State
  • OE Input Circuit Referenced to VCCA
  • Low-Power Consumption, 4 µA Max ICC
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per
    JESD 78, Class II
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • A Port
      • 2500 V Human Body Model (A114-B)
      • 150 V Machine Model (A115-A)
      • 1500 V Charged-Device Model (C101)
    • B Port
      • ±15 kV Human Body Model (A114-B)
      • 150 V Machine Model (A115-A)
      • 1500 V Charged-Device Model (C101)
  • 1.2 V to 3.6 V on A Port and 1.65 to 5.5 V on
    B Port (VCCA≤ VCCB)
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    GND, All Outputs Are in the High-Impedance
    State
  • OE Input Circuit Referenced to VCCA
  • Low-Power Consumption, 4 µA Max ICC
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per
    JESD 78, Class II
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    • A Port
      • 2500 V Human Body Model (A114-B)
      • 150 V Machine Model (A115-A)
      • 1500 V Charged-Device Model (C101)
    • B Port
      • ±15 kV Human Body Model (A114-B)
      • 150 V Machine Model (A115-A)
      • 1500 V Charged-Device Model (C101)

This 6-bit noninverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track VCCA. VCCA accepts any supply voltage from 1.2 V to 3.6 V. The B port is designed to track VCCB. VCCB accepts any supply voltage from 1.65 V to 5.5 V. This allows for universal low-voltage bidirectional translation between any of the 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, and 5 V voltage nodes. VCCA should not exceed VCCB.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

The TXB0106 is designed so that the OE input circuit is supplied by VCCA.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.

This 6-bit noninverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track VCCA. VCCA accepts any supply voltage from 1.2 V to 3.6 V. The B port is designed to track VCCB. VCCB accepts any supply voltage from 1.65 V to 5.5 V. This allows for universal low-voltage bidirectional translation between any of the 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, and 5 V voltage nodes. VCCA should not exceed VCCB.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

The TXB0106 is designed so that the OE input circuit is supplied by VCCA.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.
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設計與開發

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封裝 引腳 下載
TSSOP (PW) 16 檢視選項
VQFN (RGY) 16 檢視選項
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訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
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  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 資格摘要
  • 進行中可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

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若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

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