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TPS22901

AKTIV

3,6-V-, 0,5-A-, 78-mΩ-, 22-nA-Lecklastschalter

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Datenblatt

TPS22901

AKTIV
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Produktdetails

Number of channels 1 Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.6 Imax (A) 0.5 Ron (typ) (mΩ) 83 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.137 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 0.204 Soft start Fixed Rise Time Current limit type None Features Inrush current control, Quick output discharge Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 FET Internal Device type Load switches Function Inrush current control
Number of channels 1 Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.6 Imax (A) 0.5 Ron (typ) (mΩ) 83 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.137 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 0.204 Soft start Fixed Rise Time Current limit type None Features Inrush current control, Quick output discharge Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 FET Internal Device type Load switches Function Inrush current control
DSBGA (YFP) 4 1 mm² 1 x 1
  • Integrated P-Channel Load Switch
  • Low Input Voltage: 1 V to 3.6 V
  • ON-Resistance (Typical Values)
    • rON = 78 mΩ at VIN = 3.6 V
    • rON = 93 mΩ at VIN = 2.5 V
    • rON = 109 mΩ at VIN = 1.8 V
    • rON = 146 mΩ at VIN = 1.2 V
  • 500 mA Maximum Continuous Switch Current
  • Quiescent Current: 82 nA at 1.8 V
  • Shutdown Current: 44 nA at 1.8 V
  • Low Control Input Thresholds Enable Use of 1.2-V, 1.8-V, 2.5-V, and 3.3-V Logic
  • Controlled Slew Rate to Avoid Inrush Currents
    • tr = 40 µs at VIN = 1.8 V (TPS22901/2)
    • tr = 220 µs at VIN = 1.8 V (TPS22902B)
  • Quick Output Discharge (TPS22902/2B)
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Four-Pin Wafer-Chip-Scale DSBGA Package
    • 0.8-mm × 0.8-mm, 0.4-mm Pitch, 0.5-mm Height (YFP)
  • Integrated P-Channel Load Switch
  • Low Input Voltage: 1 V to 3.6 V
  • ON-Resistance (Typical Values)
    • rON = 78 mΩ at VIN = 3.6 V
    • rON = 93 mΩ at VIN = 2.5 V
    • rON = 109 mΩ at VIN = 1.8 V
    • rON = 146 mΩ at VIN = 1.2 V
  • 500 mA Maximum Continuous Switch Current
  • Quiescent Current: 82 nA at 1.8 V
  • Shutdown Current: 44 nA at 1.8 V
  • Low Control Input Thresholds Enable Use of 1.2-V, 1.8-V, 2.5-V, and 3.3-V Logic
  • Controlled Slew Rate to Avoid Inrush Currents
    • tr = 40 µs at VIN = 1.8 V (TPS22901/2)
    • tr = 220 µs at VIN = 1.8 V (TPS22902B)
  • Quick Output Discharge (TPS22902/2B)
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Four-Pin Wafer-Chip-Scale DSBGA Package
    • 0.8-mm × 0.8-mm, 0.4-mm Pitch, 0.5-mm Height (YFP)

The TPS22901, TPS22902, and TPS22902B are small, low ON-resistance (rON) load switches with a controlled turnon. These devices contain a P-channel MOSFET that operates over an input voltage range of 1.0 V to 3.6 V. The switch is controlled by an on/off input (ON), which can interface directly with low-voltage control signals. In the TPS22902 and TPS22902B, an 88-Ω on-chip load resistor is added for output quick discharge when the switch is turned off.

The TPS22901, TPS22902, and TPS22902B are available in a space-saving 4-pin DSBGA (YFP) with 0.4-mm pitch. These devices are characterized for operation over the free-air temperature range of –40°C to 85°C.

The TPS22901, TPS22902, and TPS22902B are small, low ON-resistance (rON) load switches with a controlled turnon. These devices contain a P-channel MOSFET that operates over an input voltage range of 1.0 V to 3.6 V. The switch is controlled by an on/off input (ON), which can interface directly with low-voltage control signals. In the TPS22902 and TPS22902B, an 88-Ω on-chip load resistor is added for output quick discharge when the switch is turned off.

The TPS22901, TPS22902, and TPS22902B are available in a space-saving 4-pin DSBGA (YFP) with 0.4-mm pitch. These devices are characterized for operation over the free-air temperature range of –40°C to 85°C.
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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

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Simulationsmodell

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Design guide: PDF
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