Startseite Energiemanagement Gate-Treiber Isolierte Gate-Treiber
Startseite
Energiemanagement
Gate-Treiber
Isolierte Gate-Treiber

UCC21732-Q1

AKTIV

Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit 5,7 kVrms ±10 A und 2-stufiger Abschal

Jetzt bestellen
Datenblatt

UCC21732-Q1

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 3A
    • Device CDM ESD classification level C3
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 270ns response time fast overcurrent protection
  • External active miller clamp
  • Internal 2-level turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Reject <40ns noise transient and pulse on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • 8000VPK VIOTM and 2121VPK VIORM Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5700VRMS isolation for 1 minute per UL1577
  • 5.7kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 3A
    • Device CDM ESD classification level C3
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 270ns response time fast overcurrent protection
  • External active miller clamp
  • Internal 2-level turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Reject <40ns noise transient and pulse on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • 8000VPK VIOTM and 2121VPK VIORM Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5700VRMS isolation for 1 minute per UL1577

The UCC21732-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21732-Q1 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5kVRMS working voltage, 12.8kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21732-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.

The UCC21732-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21732-Q1 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5kVRMS working voltage, 12.8kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21732-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.
open-in-new Andere Isolierte Gate-Treiber suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video
Information

Weitere Informationen anfordern

Das Sicherheitshandbuch für den UCC21732-Q1 und der Bericht zur FIT-Sicherheitsrate sind verfügbar. Jetzt anfordern

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

open-in-new Alternativen vergleichen
Gleiche Funktionalität, andere Pinbelegung als verglichener Baustein
UCC21759-Q1 AKTIV Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich 3,0 kVrms, ±10 A mit DESAT und interne Basic isolation, internal Miller clamp, only soft turn-off, and DESAT protection

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 13
Typ Titel Datum
* Data sheet UCC21732-Q1 Automotive 10A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI datasheet (Rev. C) PDF | HTML 18 Jan 2024
Certificate VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 29 Feb 2024
Application brief Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C) PDF | HTML 08 Sep 2023
User guide UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC 01 Sep 2023
Certificate UCC217xx/-Q1 CQC Certificate of Product Certification 07 Jun 2023
Application note HEV/EV Traction Inverter Design Guide Using Isolated IGBT and SiC Gate Drivers (Rev. B) PDF | HTML 21 Okt 2022
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16 Dez 2021
E-book Ein Techniker-Leitfaden für Industrieroboter-Designs 25 Mär 2020
Application note Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 16 Jan 2020
Design guide SiC/IGBT Isolated Gate Driver Reference Design With Thermal Diode and Sensing 18 Dez 2019
User guide UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) 09 Sep 2019
Technical article Eight questions about monitoring and protection in hybrid and electric vehicles PDF | HTML 22 Mai 2019
Application brief Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 30 Jan 2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC21732QDWEVM-025 — Evaluierungsplatine für Treiber und Schutz für SiC- und IGBT-Transistoren und Stromversorgungsmodule

The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

UCC21732 PSpice Transient Model

SLUM663.ZIP (65 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

UCC21732 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Berechnungstool

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Isolierte Gate-Treiber
UCC21710-Q1 — Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms 10 A, mit Überstromschutz für IGBT/SiC für die Automobil UCC21732-Q1 — Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit 5,7 kVrms ±10 A und 2-stufiger Abschal UCC21736-Q1 — Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich, 5,7 kVrms, ±10 A mit aktivem Kurzschluss UCC21739-Q1 — Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich, 3 kVrms, ±10A mit isolierter analoger UCC21750 — Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich, 5,7 kVrms, ±10A mit DESAT und interne UCC21750-Q1 — Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms, ±10 A mit DESAT und interner Klemme für IGBT/SiC, für d UCC21759-Q1 — Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich 3,0 kVrms, ±10 A mit DESAT und interne
Herunterladen
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

PMP23223 — Referenzdesign für intelligenten isolierten Gate-Treiber mit Vorspannungsversorgung

Dieses Referenzdesign zeigt die Funktionen der Kombination aus einem UCC21732-Gate-Treibern mit einer Vorspannungsversorgung der Serie UCC14xxx. Dieses Design kann zur Ansteuerung einer Vielzahl von Leistungsschaltern verwendet werden, einschließlich der direkten Verbindung mit einem (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

TIDA-020030 — Referenzdesign für isolierten Gate-Treiber auf der Basis von SiC/IGBT mit thermischer Diode und Sens

This reference design is an IGBT or SiC isolated gate driver power stage driving a IGBT module with advanced protection features. The design consists of a single phase power stage from a traction inverter supporting high level of safety features. The IGBT module has integrated thermal diode for (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins Herunterladen
SOIC (DW) 16 Optionen anzeigen
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos