JAJSUB6C November   2024  – September 2025 BQ27Z758

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
      1. 5.5.1 電源電流
      2. 5.5.2 共通アナログ (LDO、LFO、HFO、REF1、REF2、I-WAKE)
      3. 5.5.3 バッテリ保護 (CHG、DSG)
      4. 5.5.4 セル センシング出力 (BAT_SP、BAT_SN)
      5. 5.5.5 残量計の測定 (ADC、CC、温度)
      6. 5.5.6 フラッシュ メモリ
    6. 5.6 デジタル I/O：DC の特性
    7. 5.7 デジタル I/O：タイミング特性
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  BQ27Z758 プロセッサ
      2. 6.3.2  バッテリ パラメータの測定値
        1. 6.3.2.1 クーロン カウンタ (CC) とデジタル フィルタ
        2. 6.3.2.2 ADC マルチプレクサ
        3. 6.3.2.3 A/D コンバータ (ADC)
        4. 6.3.2.4 内部温度センサ
        5. 6.3.2.5 外部温度センサのサポート
      3. 6.3.3  電源制御
      4. 6.3.4  ENAB ピン
      5. 6.3.5  バス通信インターフェイス
      6. 6.3.6  低周波発振器
      7. 6.3.7  高周波発振器
      8. 6.3.8  1.8V 低ドロップアウト レギュレータ
      9. 6.3.9  内部基準電圧
      10. 6.3.10 放電時の過電流保護
      11. 6.3.11 充電時の過電流保護
      12. 6.3.12 放電時の短絡電流保護
      13. 6.3.13 1 次保護機能
      14. 6.3.14 バッテリ検出
      15. 6.3.15 バッテリ残量計
      16. 6.3.16 ゼロ ボルト充電 (ZVCHG)
      17. 6.3.17 充電制御機能
      18. 6.3.18 認証
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 寿命に関する記録機能
      2. 6.4.2 構成
        1. 6.4.2.1 クーロン カウント
        2. 6.4.2.2 セルの電圧測定
        3. 6.4.2.3 自動キャリブレーション
        4. 6.4.2.4 温度測定
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件 (デフォルト)
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 設計パラメータの変更
      3. 7.2.3 キャリブレーション手順
      4. 7.2.4 残量計データの更新
        1. 7.2.4.1 アプリケーション曲線
      5. 7.2.5 ESD 軽減
    3. 7.3 電源要件
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1.     付録：パッケージ･オプション
    2. 10.1 テープおよびリール情報
    3. 10.2 メカニカル データ

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YAH|15
サーマルパッド・メカニカル・データ

5.5.5 残量計の測定 (ADC、CC、温度)

特記のない限り、TA = –40 ～ 85℃ の条件下での特性を記載しています
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
アナログ デジタル コンバータ (ADC)
VBAT_RES バッテリ電圧 ADC 分解能 (ビット) 符号付きデータ フォーマット、±15 ビット 16 ビット
VBAT_FS バッテリ測定フルスケール レンジ -0.2 5.5 V
VBAT_ERR バッテリ電圧 ADC 誤差 TA = +25℃、VBAT = 4.0VDC ±1 mV
VBAT = 2.5 ～ 5.0VDC ±2
RBAT 実効入力抵抗 8 MΩ
tBAT バッテリ電圧変換時間 11.7 ms
VADC_RES 有効分解能 VBAT 14 15 ビット
クーロン カウンタ (CC)
VCC_CM 同相電圧範囲 VSS = 0V、2V ≤ VBAT ≤ 5V VSS VBAT V
VCC_IN 入力電圧範囲 VCC_CM-0.1 VCC_CM+0.1 V
ICC_IN 実効入力電流センス範囲(1)(2) 理想的な RSNS = 1mΩ (16 ビットのデータ制限) ±32,768 mA
理想的な RSNS = 2mΩ (16 ビットのデータ制限)
理想値 RSNS = 5mΩ ±20,000
tCC_CONV 変換時間 シングル変換 1000 ms
CCADC_RES 有効分解能 16 ビット
1LSB = VREF1/10/(±215) ±3.7 μV
ICC_ERR 実効電流測定誤差 理想的な RSNS = 1.0mΩ、10.0A、TA = 25℃ 26 mA
理想的な RSNS = 1.0mΩ、-10.0A、TA = 25℃ 29
CCOSE オフセット誤差 16 ビット、ポスト キャリブレーション -2.6 1.3 +2.6 LSB
CCOSE_DRIFT オフセット誤差のドリフト 15 ビット + 符号、ポスト キャリブレーション 0.04 0.07 LSB/°C
CCGE ゲイン誤差 15 ビット + 符号、入力電圧範囲全体 -492 131 +492 LSB
RCC_IN 実効入力抵抗 7 MΩ
NTC サーミスタ測定
RNTC(PU) 内部プルアップ抵抗 工場出荷時調整済み、ファームウェア補償 14.4 18 21.6 kΩ
RNTC(DRIFT) 温度範囲での抵抗ドリフト ファームウェア補正 -250 -120 0 PPM/°C
RNTC_ERR 外部 NTC サーミスタ
温度測定
誤差 (線形化あり)		 理想的な 10kΩ 103AT NTC、TA = –10 ～ 70℃ -2 ±1 +2 ℃
理想的な 10kΩ 103AT NTC、TA = –40 ～ 85℃ -3 ±2 +3
内部温度センサ
V(TEMP) 内部温度センサ電圧ドリフト VTEMPP 1.65 1.73 1.8 mV/℃
V(TEMP) 内部温度センサ電圧ドリフト VTEMPP - VTEMPN (設計により規定) 0.17 0.18 0.19 mV/℃
(1) ファームウェア ベースのパラメータ。  実製品の検査は行っていません。
(2) 16 ビットの 2 の補数の数値形式で制限されています