JAJSUB6C November   2024  – September 2025 BQ27Z758

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
      1. 5.5.1 電源電流
      2. 5.5.2 共通アナログ (LDO、LFO、HFO、REF1、REF2、I-WAKE)
      3. 5.5.3 バッテリ保護 (CHG、DSG)
      4. 5.5.4 セル センシング出力 (BAT_SP、BAT_SN)
      5. 5.5.5 残量計の測定 (ADC、CC、温度)
      6. 5.5.6 フラッシュ メモリ
    6. 5.6 デジタル I/O：DC の特性
    7. 5.7 デジタル I/O：タイミング特性
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  BQ27Z758 プロセッサ
      2. 6.3.2  バッテリ パラメータの測定値
        1. 6.3.2.1 クーロン カウンタ (CC) とデジタル フィルタ
        2. 6.3.2.2 ADC マルチプレクサ
        3. 6.3.2.3 A/D コンバータ (ADC)
        4. 6.3.2.4 内部温度センサ
        5. 6.3.2.5 外部温度センサのサポート
      3. 6.3.3  電源制御
      4. 6.3.4  ENAB ピン
      5. 6.3.5  バス通信インターフェイス
      6. 6.3.6  低周波発振器
      7. 6.3.7  高周波発振器
      8. 6.3.8  1.8V 低ドロップアウト レギュレータ
      9. 6.3.9  内部基準電圧
      10. 6.3.10 放電時の過電流保護
      11. 6.3.11 充電時の過電流保護
      12. 6.3.12 放電時の短絡電流保護
      13. 6.3.13 1 次保護機能
      14. 6.3.14 バッテリ検出
      15. 6.3.15 バッテリ残量計
      16. 6.3.16 ゼロ ボルト充電 (ZVCHG)
      17. 6.3.17 充電制御機能
      18. 6.3.18 認証
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 寿命に関する記録機能
      2. 6.4.2 構成
        1. 6.4.2.1 クーロン カウント
        2. 6.4.2.2 セルの電圧測定
        3. 6.4.2.3 自動キャリブレーション
        4. 6.4.2.4 温度測定
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件 (デフォルト)
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 設計パラメータの変更
      3. 7.2.3 キャリブレーション手順
      4. 7.2.4 残量計データの更新
        1. 7.2.4.1 アプリケーション曲線
      5. 7.2.5 ESD 軽減
    3. 7.3 電源要件
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1.     付録：パッケージ･オプション
    2. 10.1 テープおよびリール情報
    3. 10.2 メカニカル データ

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YAH|15
サーマルパッド・メカニカル・データ

5.5.2 共通アナログ (LDO、LFO、HFO、REF1、REF2、I-WAKE)

特記のない限り、TA = –40 ～ 85℃ の条件下での特性を記載しています
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
内部 1.8V LDO (REG18)
VREG18 レギュレータ出力電圧 1.6 1.8 2.0 V
ΔVREG18TEMP 温度によるレギュレータ出力の変化 ΔVBAT/ΔTA、IREG18 = 10mA -1.2% +1.2%
ΔVREG18LINE ライン レギュレーション -0.8% 0.8%
ΔVREG18LOAD ロード レギュレーション IREG18 = 16mA -1.5% 1.5%
ISHORT 短絡電流制限 VREG18 = 0 V 18 60 mA
PSRRREG18 電源除去比 ΔVBAT/ΔVREG18、IREG18 = 10mA、VBAT > 2.5V、f = 10Hz 50 dB
VPORth POR スレッショルド 立ち上がりスレッショルド 1.55 1.65 1.75 V
VPORhy POR ヒステリシス 0.1 V
VENAB LDO の ENAB ターンオン電圧(1) アクティブ Low 立ち下がりスレッショルド 0.4 V
RENAB ENAB ピン プルアップ抵抗(1) VDD への内部プルアップ 0.7 1 1.3 MΩ
VSTARTUP LDO の最小 PACK ピン ターンオン電圧 (1) 2 V
低周波数内部発振器 (LFO)
fLFO LFO 動作周波数 通常動作モード 65.536 kHz
fLFO(ERR) LFO 周波数誤差 -2.5% +2.5%
fLFO32 LFO 動作周波数 低消費電力モード 32.768 kHz
fLFO32(ERR) LFO 周波数誤差 -5% +5%
高周波内部発振器 (HFO)
fHFO HFO 動作周波数 16.78 MHz
fHFO(ERR) HFO 周波数誤差 TA = -20℃～70℃ -2.5% 2.5%
TA = -40℃～85℃ -3.5% 3.5%
tHFOSTART HFO スタートアップ時間 TA = –40℃ ～ 85℃、CLKCTL[HFRAMP] = 1、発振器の周波数は公称周波数の ±3% 以内、またはパワーオン リセット 4 ms
電圧リファレンス 1 (VREF1)
VREF1 内部リファレンス電圧 REF1 は保護回路、LDO、CC 用 1.195 1.21 1.227 V
VREF1_DRIFT 内部リファレンス電圧ドリフト -80 +80 PPM/°C
電圧リファレンス 2 (VREF2)
VREF2 内部リファレンス電圧 REF2 は ADC 用 1.2 1.21 1.22 V
VREF2_DRIFT 内部リファレンス電圧ドリフト -20 +20 PPM/°C
ウェークアップ コンパレータ (I-WAKE)
VWAKE 低消費電力状態から残量計をウェークアップさせるための、センス抵抗電圧スレッショルド範囲(2) 500μV ステップデータ フラッシュ ファームウェアのデフォルトは 2mV (標準値) -1.5 -2.0 -2.5 mV
IWAKE 実効ウェークアップ電流スレッショルド範囲 理想値 RSNS = 1mΩ -1000 -3000 mA
理想値 RSNS = 2mΩ -500 -1500
理想値 RSNS = 5mΩ -200 -600
VWAKE_ACC ウェークアップ検出の精度 (2) -250 250 μV
tWAKE I-WAKE 検出遅延オプション (1) 2 つの遅延オプションで構成可能データ フラッシュ ファームウェアのデフォルトは 12ms (標準値) 9.6 12 14.4 ms
19.2 24 28.8
(1) 設計により規定されています。
(2) データ フラッシュはフル アクセス モードで構成でき、密閉された状態にロックされます。規定されたデフォルトのスレッショルドでの工場出荷時調整により精度が認定されています。工場出荷時のスレッショルドを変更するには、フィールドでデバイスのキャリブレーションが必要です。