JAJSUB6 データシート

JAJSUB6C November 2024 – September 2025 BQ27Z758

PRODUCTION DATA

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）

YAH|15

サーマルパッド・メカニカル・データ

5.5.3 バッテリ保護 (CHG、DSG)

自由気流での温度範囲内で動作する保護ハードウェア回路 (特に記述のない限り)

パラメータ		テスト条件	最小値	標準値	最大値	単位
N-CH FET ドライバ、CHG および DSG
V_DRIVER	ゲートドライバ電圧、V_CHG または V_DSG	C_LOAD = 8nF		2 × VDD		V
A_FETON	FET ドライバのゲイン係数、VGS 電圧から FET へ	A_FETON = (V_driver – VDD)/VDD、C_LOAD = 8nF、UVP < VDD < 3.8V	0.9	1.0	1.2	V/V
V_DSGOFF	DSG FET ドライバのオフ出力電圧	V_DSGOFF = V_DSG – PACK、C_L= 8nF			0.2	V
V_CHGOFF	CHG FET ドライバのオフ出力電圧	V_CHGOFF = V_CHG – VSS、C_L= 8nF			0.2	V
t_rise	FET ドライバ立ち上がり時間 ⁽¹⁾	C_L = 8nF、(Vdriver – VDD)/VDD = 1x V_FETON VDD から 2×VDD に変更		400	800	us
t_fall	FET ドライバ立ち下がり時間 ⁽¹⁾	CL = 8nF、V_FETON を V_FETMAX から V_FETOFF に変更		50	200	us
V_{FET_SHUT}	ファームウェア FET ドライバのシャットダウン電圧 ⁽²⁾⁽⁴⁾	1mV ステップで構成可能	2000	2100	5000	mV
V_{FET_SHUT_REL}	ファームウェア FET ドライバのシャットダウンリリース ⁽²⁾⁽⁴⁾	1mV ステップで構成可能	2000	2300	5000	mV
I_LOAD	FET ドライバの最大負荷				10	μA
電圧保護
V_OVP	ハードウェア過電圧保護 (OVP) 検出範囲 ⁽³⁾	推奨のスレッショルド範囲。50mV ステップで工場出荷時調整済み	3500		5000	mV
V_OVP	工場出荷時デフォルト調整済みスレッショルド ⁽³⁾	推奨のスレッショルド範囲。50mV ステップで工場出荷時調整済み		4525		mV
V_{OVP_ACC}	ハードウェア OVP 検出精度 ⁽³⁾	TA = 25°C、CHG/DSG < 1μA における C_LOAD	-15		15	mV
		TA = 0°C ～ 60°C、CHG/DSG < 1μA における C_LOAD	-25		25	mV
		TA = –40°C ～ 85°C、CHG/DSG < 1μA における C_LOAD	-50		50	mV
V_{FW_OVP}	ファームウェア OVP 検出範囲 ⁽⁴⁾	1mV ステップで構成可能	2000	4490	5000	mV
V_{FW_OVP_REL}	ファームウェアの OVP リリース範囲 ⁽⁴⁾	1mV ステップで構成可能	2000	4290	5000	mV
V_UVP	ハードウェア低電圧 (UVP) 検出範囲 ⁽³⁾	推奨のスレッショルド範囲。50mV ステップで工場出荷時調整済み	2000		4000	mV
V_UVP	工場出荷時デフォルト調整済みスレッショルド ⁽³⁾	推奨のスレッショルド範囲。50mV ステップで工場出荷時調整済み		2300		mV
V_{UVP_ACC}	ハードウェア UVP 検出精度 ⁽³⁾	TA = 25°C、CHG/DSG < 1μA における C_LOAD	-20		20	mV
		TA = 0°C ～ 60°C、CHG/DSG < 1uA における C_LOAD	-30		30	mV
		TA = –40°C ～ 85°C、CHG/DSG < 1uA における C_LOAD	-50		50	mV
V_{FW_UVP}	ファームウェア UVP 検出範囲 ⁽⁴⁾	1mV ステップで構成可能	2000	2500	5000
V_{FW_UVP_REL}	ファームウェアの UVP リリース範囲 ⁽⁴⁾	1mV ステップで構成可能	2000	2900	5000	mV
R_PACK-VSS	PACK と VSS の間の抵抗	シャットダウンモードのみ	100	300	550	kΩ
V_RCP	逆充電保護制限	連続動作：–10V、絶対最大定格：–12V	-10			V
電流保護
V_OCC	充電時過電流 (OCC) のセンス電圧スレッショルド範囲 ⁽³⁾⁽⁴⁾	推奨のスレッショルド範囲。1mV ステップで工場出荷時調整済み	4		100	mV
V_OCC	工場出荷時デフォルト調整済みスレッショルド ⁽³⁾	推奨のスレッショルド範囲。1mV ステップで工場出荷時調整済み		14		mV
V_OCC	OCC 2mV ステップ設計オプション	2mV ステップ構成オプション	2		256	mV
I_OCC	V_OCC の実効 OCC 電流スレッショルド範囲 ⁽¹⁾⁽⁴⁾	理想値 R_SNS = 1mΩ	4	14	100	A
		理想値 R_SNS = 2mΩ	2	7	50
		理想値 R_SNS = 5mΩ	0.8	2.8	20
I_{FW_OCC}	ファームウェア OCC 検出範囲 ⁽⁴⁾	1mA ステップで構成可能	0	12000	+I_{CC_IN}	mA
V_OCD	放電時過電流 (OCD) のセンス電圧スレッショルド範囲 ⁽³⁾⁽⁴⁾	推奨のスレッショルド範囲。1mV ステップで工場出荷時調整済み	-4		-100	mV
V_OCD	工場出荷時デフォルト調整済みスレッショルド ⁽³⁾	推奨のスレッショルド範囲。1mV ステップで工場出荷時調整済み		-16		mV
V_OCD	OCD 2mV ステップ設計オプション	±2mV のステップ構成オプション	-2		-256	mV
I_OCD	V_OCD の実効 OCD 電流スレッショルド範囲 ⁽¹⁾⁽⁴⁾	理想値 R_SNS = 1mΩ	-4	-16	-100	A
		理想値 R_SNS = 2mΩ	-2	-8	-50
		理想値 R_SNS = 5mΩ	-0.8	-3.2	-20
I_{FW_OCD}	ファームウェア OCD 検出範囲 ⁽⁴⁾	1mA ステップで構成可能	–I_{CC_IN}	-7000	₀	mA
V_SCD	放電時短絡電流 (SCD) のセンス電圧スレッショルド範囲⁽³⁾⁽⁴⁾	1mV ステップで工場出荷時調整済みスレッショルド	-5		-120	mV
V_SCD	工場出荷時デフォルト調整済みスレッショルド ⁽³⁾	1mV ステップで工場出荷時調整済みスレッショルド		-20		mV
I_SCD	V_SCD の実効 SCD 電流スレッショルド範囲 ⁽¹⁾⁽⁴⁾	理想値 R_SNS = 1mΩ	-5	-20	-120	A
		理想値 R_SNS = 2mΩ	-2.5	-10	-60
		理想値 R_SNS = 5mΩ	-1	-4	-24
V_{OC_ACC}	過電流 (OCC、OCD、SCD) の検出精度 ⁽³⁾	<20mV、TA = –25°C ～ 60°C	-2.1		2.1	mV
		<20mV	-2.1		2.1
		20 mV～55mV	-3		3
		56 mV～100mV	-5		5
		> 100 mV	-12		12
I_PACK-VDD	電流故障時の PACK と VDD との間の電流シンク	ファームウェアでの負荷除去検出		15		μA
V_{OC_REL}	OCC 故障リリーススレッショルド	(V_PACK – V_BAT)		100		mV
V_{OC_REL}	OCD、SCD 故障リリーススレッショルド	(V_PACK – V_BAT)		-400		mV
過熱保護
T_{OTC_TRIP}	OTC トリップ / リリースのスレッショルド ⁽²⁾⁽⁴⁾	ファームウェアベース、0.1°C ステップで構成可能	-40.0	55.0	150.0	°C
T_{OTC_REL}	OTC トリップ / リリースのスレッショルド ⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	50.0	150.0	°C
T_{OTD_TRIP}	OTD トリップ / リリースのスレッショルド ⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	60.0	150.0	°C
T_{OTD_REL}	OTD トリップ / リリースのスレッショルド ⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	55.0	150.0	°C
T_{UTC_TRIP}	UTC トリップ / リリースのスレッショルド ⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	0.0	150.0	°C
T_{UTC_REL}	UTC トリップ / リリースのスレッショルド ⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	5.0	150.0	°C
T_{UTD_TRIP}	UTD トリップ / リリースのスレッショルド ⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	0.0	150.0	°C
T_{UTD_REL}	UTD トリップ / リリースのスレッショルド ⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	5.0	150.0	°C
保護遅延 ⁽¹⁾
t_OVP	OVP 検出遅延 (デバウンス) オプション ⁽¹⁾⁽⁴⁾	1.953ms ステップで 4095 の遅延オプションを構成可能。工場出荷時デフォルト = 1000ms (512 カウント) 標準値	1.953	1000	7998	ms
t_UVP	UVP 検出遅延 (デバウンス) オプション ⁽¹⁾⁽⁴⁾	1.953ms ステップで 127 の遅延オプションを構成可能。工場出荷時デフォルト = 127ms (65 カウント) 標準値	1.953	127	248	ms
t_OCC	OCC 検出遅延 (デバウンス) オプション ⁽¹⁾⁽⁴⁾	1.953ms ステップで 31 の遅延オプションを構成可能。工場出荷時デフォルト = 7.8ms (4 カウント) 標準値	1.953	7.8	60.5	ms
t_OCD	OCD 検出遅延 (デバウンス) オプション ⁽¹⁾⁽⁴⁾	0.244ms ステップで 255 の遅延オプションを構成可能。工場出荷時デフォルト = 15.9ms (65 カウント) 標準値	0.244	15.9	62.3	ms
t_SCD	SCD 検出遅延 (デバウンス) オプション ⁽¹⁾⁽⁴⁾	122μs ステップで 7 つの遅延オプションを構成可能。工場出荷時デフォルト = 244µs (2 カウント) 標準値	122	244	854	µs
T_{OTC_DLY}	OTC トリップ遅延⁽²⁾⁽⁴⁾	ファームウェアベース、1 秒のステップで構成可能。標準値はデータフラッシュの工場出荷時デフォルトです。	0	2	255	s
T_{OTD_DLY}	OTD トリップ遅延⁽²⁾⁽⁴⁾		0	2	255	s
T_{UTC_DLY}	UTC トリップ遅延⁽²⁾⁽⁴⁾		0	2	255	s
T_{UTD_DLY}	UTD トリップ遅延⁽²⁾⁽⁴⁾		0	2	255	s
ゼロボルト (低電圧) 充電
V_0CHGR	ゼロボルト充電の開始に必要な充電器の電圧	V_0CHGR = V_PACK – VSS	1.6			V

(1) 設計により規定されています。実製品の検査は行っていません。

(2) ファームウェアベースのパラメータ。実製品の検査は行っていません。

(3) 規定されたデフォルトのスレッショルドでの工場出荷時調整により精度が保証されています。デフォルトのスレッショルドから変更するには、現場でデバイスのキャリブレーションが必要です。『BQ27Z746R1 および BQ27Z758 テクニカルリファレンスマニュアル』 を参照してください。

(4) 規定された標準値は工場出荷時デフォルトです。実製品の検査は行っていません。データフラッシュの構成値はフルアクセスモードで変更でき、シールドモードでロックされます。『BQ27Z746R1 および BQ27Z758 テクニカルリファレンスマニュアル』 を参照してください。